| Источники питания и свет Актуальные вопросы и ответы по источникам питания, световому оборудованию. |
Нагревательный элемент из мощного транзистора типа KT815?
06.12.2006, 07:44
|
#11
|
|
Гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 27.07.2006
Сообщений: 658
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 4 раз(а) в 4 сообщении(ях)
|
Транзистор использовать при таких температурах окружающей среды нельзя,тк температура pn перехода
будет выше на произведение мощности на коллекторе *
на тепловое сопротивление корпус -воздух.И кристал не вырождается он просто пробивается,а тепловой пробой не восстанавливается.Кстати диод если использовать в качестве нагревателя тоже накроется.По поводу резисторов если они допускают работу при таких температурах то почему бы нет.
ПИД регулятор это пропорционально- интегрально-дифференциальный регулятор.Прежде чем выбирать закон
регулирования определитесь с какой точностью необходимо поддерживать температуру.ПИД регулятор целесообразно применять при наличии быстро протекающих
процессов ,температура как правило к ним не относится.
И еще любая схема регулятора не будет корректно работать без подбора коэффициентов входящих в формулу
закона регулирования.
|
|
|
|
06.12.2006, 10:55
|
#12
|
|
Прописка
Регистрация: 09.06.2006
Сообщений: 94
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 3 раз(а) в 3 сообщении(ях)
|
Неа, при температуре близкой к максимальной (+125 град.) происходит именно вырождение (деградация) кристалла, а вот при требуемой температуре (+150 град.) произойдёт именно тепловой пробой, и как правильно было замечено, относится это ко всем полупроводникам на основе кремния.
|
|
|
|
06.12.2006, 11:47
|
#13
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 07.03.2005
Сообщений: 984
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 200 раз(а) в 136 сообщении(ях)
|
|
Цитата:
|
ПИД регулятор целесообразно применять при наличии быстро протекающих
процессов ,температура как правило к ним не относится.
|
Позвольте не согласиться с этим тезисом.
Вот например краткая аннотация одного из регуляторов известного ОВЕНа:
|
Цитата:
|
Терморегулятор ОВЕН ТРМ10 предназначен для измерения входного параметра, импульсного или аналогового управления нагрузкой по пропорционально-интегрально-дифференциальному (ПИД) закону, а также для формирования дополнительного сигнала, который может быть использован для сигнализации о выходе параметра за установленные границы или для двухпозиционного регулирования.
Прибор ОВЕН ТРМ10 рекомендуется применять для управления объектами, обладающими повышенной инерционностью, где обычное двухпозиционное регулирование не обеспечивает необходимую точность. При использовании в качестве терморегулятора ОВЕН ТРМ10 может управлять как процессом нагрева, так и процессом охлаждения объекта.
|
Хотя конечно играет роль реализация регулятора. Аналоговая реализация для медленных процессов возможно и затруднительна, но цифровая - почему бы нет.
|
|
|
|
06.12.2006, 12:04
|
#14
|
|
Гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 27.07.2006
Сообщений: 658
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 4 раз(а) в 4 сообщении(ях)
|
|
Сообщение от Adviser
|
|
Цитата:
|
ПИД регулятор целесообразно применять при наличии быстро протекающих
процессов ,температура как правило к ним не относится.
|
Позвольте не согласиться с этим тезисом.
Прибор ОВЕН ТРМ10 рекомендуется применять для управления объектами, обладающими повышенной инерционностью, где обычное двухпозиционное регулирование не обеспечивает необходимую точность.
|
[/quote]
Не позволю.По сравнению с 2х позиционным однозначно да.
Если есть повышенная инерционность достаточно и ПИ.
И к томуже при малой скорости изменения параметра дифференциальная часть полностью неэффективна.Вполне достаточна отработка интегральной составляющей
|
|
|
|
06.12.2006, 12:55
|
#15
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 30.10.2006
Сообщений: 1,752
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 80 раз(а) в 56 сообщении(ях)
|
|
Сообщение от EVGENIY1962
|
|
Кстати диод если использовать в качестве нагревателя тоже накроется.
|
Конечно, как и любой кремнивый полупроводник, работающий при температуре кристалла +125 градусов. Однако использование диода в качестве нагревателя возможно при меньших температурах.
С уважением, Алексей.
|
|
|
|
06.12.2006, 13:02
|
#16
|
|
Гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 27.07.2006
Сообщений: 658
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 4 раз(а) в 4 сообщении(ях)
|
|
Сообщение от ALEX__A
|
|
Сообщение от EVGENIY1962
|
|
Кстати диод если использовать в качестве нагревателя тоже накроется.
|
Конечно, как и любой кремнивый полупроводник, работающий при температуре кристалла +125 градусов. Однако использование диода в качестве нагревателя возможно при меньших температурах.
С уважением, Алексей.
|
Вы абсолютно правы.
|
|
|
|
06.12.2006, 15:35
|
#17
|
|
Прохожий
Регистрация: 30.11.2006
Сообщений: 9
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 0 раз(а) в 0 сообщении(ях)
|
люди вот вы говорите, что будет пробой при температуре окружающей среды свыше 125 градусов, но я же попробовал, и корпус транзистора у меня нагревается до 180 и выше и ничего сним не происходит, термопарой проверял колиброванной, может она и врёт но не на 50 градусов же....
так что при охлаждени после этой процедуры он у меня нагревается, так же как и раньше.... и поэтому я с вами не соглашусь...
И вообще я то просил технических решений, а не теории. в теории всё чётко и гладко, сам радио физик и электроник, но всё же не так....
да и даже если он и накроется , да и бох то сним, мне его как нарревательный элемент использовать надо, а не в схему сажать. и чтобы он работал как по правилам....
всем спасибо за ответы, но нужно конкретнее... курсовуха горит... нет нагревателя, и я не могу снимать показания зависящие от температуры....
|
|
|
|
06.12.2006, 20:47
|
#18
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 30.10.2006
Сообщений: 1,752
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 80 раз(а) в 56 сообщении(ях)
|
В каком смысле с ним ничего не происходит?
Вырождение полупроводника наступает не всегда при 125 градусах, в принципе температура для каждого конкретного перехода своя (125-200).
Никто не опровергает возможности использования транзистора в качестве нагревательного элемента при немпературах выше указанного значения. Вырождение полупроводника, свидетельствует о потере основных свойств p-n переходом, а следовательно, Вы начинаете иметь дело с обыкновенным кремниевым сопротивлением.
Приведите Ваше конкретное ТЗ на курсовую работу.
С уважением, Алексей.
|
|
|
|
07.12.2006, 02:50
|
#19
|
|
Прохожий
Регистрация: 22.01.2005
Сообщений: 1
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 0 раз(а) в 0 сообщении(ях)
|
нагревательный элемент
Уважаемый ARRIBA.Я бы ВАМ порекомендовал применить нагреватели из Ярославля.Они их делают и гибкими и на керамике и на стальной пластине, размеры и питание любые.Я на них делал термостабилизированный столик .Их адрес www.onyx.yaroslavl.ru. Vladlen
|
|
|
|
07.12.2006, 07:17
|
#20
|
|
Гражданин KAZUS.RUN
Регистрация: 27.07.2006
Сообщений: 658
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 4 раз(а) в 4 сообщении(ях)
|
|
Сообщение от Arriba
|
люди вот вы говорите, что будет пробой при температуре окружающей ... и поэтому я с вами не соглашусь...
да и даже если он и накроется , да и бох то сним, мне его как нарревательный элемент использовать надо, а не в схему сажать. и чтобы он работал как по правилам....
|
Соглашатся или нет это ваше дело.
При 200градусах транзистор может и долбануть.Подумайте стоит ли рисковаь здоровьем.
Если он накроется то греть явно не будет.
А техрешения (обобщим):резистор,нагреват ели из Ярославля,нихромовая проволока,малогабаритная галогеновая лампочка,нагреватели на эффекте Пелтье(фамилия не точно,но он момет и охлаждать)
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 23:29.
|
|