Тепловые процессы в активных областях полупроводниковых приборов.

[ForcePoint]

есть тепловая инерционность

+100500. Уже в стартовом сообщении - есть ссылки, отправляющие методику Алексея_ПП в нок-даун.
Вишенка: Thanks to the current-source loads, two stages [of LM101] suffice to provide a nominal DC gain of over 500,000 (limited, in fact, by thermal feedback).

[Алексей_ПП]

нет, не годится - есть тепловая инерционность.

Тепловая инерционность снижает тепловые искажения.
Вы только что предлагали испытания на 20 Гц, а не на 20 кГц для чего?
Как раз для уменьшения влияния тепловой инерционности
- для получения почти установившихся температур, соответствующих минимальной и максимальной рассеиваемой мощности.

Вот я и предлагаю довести эту методику до предела - измерять на бесконечно малой частоте, при этом температура полностью установится.

Сравниваю разницу между состояниями:
первое - кристалл холодный,
второе - горячий.

лучше получить реальный спектр на частотах 20, 45 и 90 Гц.

Гармонические и интермодуляционные имеют прямой причиной усиливаемый сигнал.
Поэтому, измерить (или вычислить) Кг и Кими без сигнала принципиально невозможно.

Причиной тепловых искажений является не сигнал, а изменение температуры транзистора.
ТИ возникнут, если греть транзистор, хоть сигналом, хоть внешним источником.

Это предельно упрощает моделирование ТИ.

Реальные спектры на 20 Гц и для сравнения на 1 кГц, попробую предоставить.

[VladimirIvan]

изменение температуры транзистора.

В связи с неоднородностью полупроводника , в его объеме возникают локальные микроучастки перегрева.

[ForcePoint]

Вы только что предлагали испытания на 20 Гц, а не на 20 кГц для чего?

Чтобы при слабом изменении сигнала температура успела значимо измениться, став помехой, которую надо подавить.

[ForcePoint]

Привёл "железо" к "правильному бою". Финальный результат на примере КТ3102А - температурные эффекты (длина импульсов - около 60 мкс и 1,2 мс, наблюдаем "веер") и ток эмиттера (в мкА) в зависимости от напряжения Vbe при их минимизации.