Подбор полевиков

[_TAYPHUN_]

Макcимальное напряжение Vds,Rds,Qgs,корпус,цена

Какие параметры у данных транзисторов существуют я занаю. Но незнаю как привязаться к их мощности не барть же их всё время на 10кВт. И непонятно как мне может помочь парметр Rds.

[_TAYPHUN_]

Или взять к примеру такой транзистор(в приложениях), который я использовал для создания DC/DC преобразователя импульсный ток был 100А по расчётам. Таких транзисторов я 3 ставил параллельно и они всё равно грелись, не доходя даже до средней мощности устройства. А судя по импульсному току в 240А, мне одного хватало, а по длительному 80А двух.

[jump]

Таких транзисторов я 3 ставил параллельно и они всё равно грелись, не доходя даже до средней мощности устройства

озвучьте драйвер, покажите схему включения с нагрузкой, режимы питания

[_TAYPHUN_]

озвучьте драйвер, покажите схему включения с нагрузкой, режимы питания

И что тебе это даст? Драйвер был UC3843 с внешней комплементарной парой на выходе для заряда разряда затворов и степ ап преобразователь в виде катушки из ш образного сердечника с зазором и диода шотки на выходе с кондесатором. Конвертировал 12 в 40В на нагрузку 350Вт. Частота преобразования 100 кГц.

[sspol]

нагрев транзистора - 2 фактора. 1. ток в открытом состоянии умножить на сопротивление открытого транзистора (получил падение напряжения на открытом транзисторе) умножить на тот же ток -получил мощность - переведи в тепло. 2. Длительность фронта - вот тут греет хорошо. Нужны крутые фронта. Греться транзистор будет всегда - физику не обманешь - далее - радиатор.

[kreking]

...импульсный ток был 100А по расчётам. Таких транзисторов я 3 ставил параллельно и они всё равно грелись, не доходя даже до средней мощности устройства. А судя по импульсному току в 240А, мне одного хватало, а по длительному 80А двух.

Производитель Fairchild Semiconductor уже не производит данные транзисторы, вместо них есть данные на FDP7030BL/FDB7030BL, но к счастью модели есть в симуляторах.
Изучаем лист данных на FDP7030L / FDB7030L, предоставленный Вами.
В графе ID два значения 80 А и 240 А, но стоит примечание "(Note 1)", читаем примечание, а там написано "1. Pulse Test: Pulse Width ‹ 300ms, Duty Cycle ‹ 2.0%" ширина импульса, по нашему длительность, меньше 300 мс и менее 2% от рабочего цикла, т. е. от периода. Вот при этих параметрах были сняты характеристики транзистора. При других значениях длительности и скважности импульсов, надо смотреть в симуляторе (во вложении).
Модели, предоставленные Fairchild Semiconductor, предназначены для моделирования процессов до 150° С°. Не знаю, схема похожа на Вашу или нет, как на картинке, решил нагрузить транзистор в симуляторе на активную нагрузку. При токе 80 А среднеквадратичная мощность выше 68 Вт, что выше паспортных данных, а при 240 А, и говорить нечего. Полную картину работы преобразователя можно увидеть при полной принципиальной схеме. Кстати, при уменьшении сопротивления R1, увеличивается ток через затвор, но уменьшается время выключения и включения транзистора.

[jump]

И что тебе это даст?

мне - никуя, ТЕБЕ - шанс задуматься

Драйвер был UC3843 с внешней комплементарной парой на выходе

какова скорость нарастания/спада фронтов? а это - нагрев
антизвонные резисторы в затворах были?
параллельное включение предполагает общий ток в пределах 0.7-0.8 от суммы всех токов - см. аппноты International Rectifier

степ ап преобразователь в виде катушки из ш образного сердечника с зазором и диода шотки на выходе с кондесатором. Конвертировал 12 в 40В на нагрузку 350Вт. Частота преобразования 100 кГц

что за сердечник - материал, проницаемость?
проверялось изделие осциллографом на насыщение сердечника?
кто позволил вам 30в транзисторы применять для 40в цепей? минимум - 60в. наверняка эти мосфеты для многофазных БП материнских плат
мой ВАМ совет - бегом читать аппноты IR (и других фирм тоже), благо они есть на русском (частично) и только потом приходить сюда. иначе ВЫ рискуете встретиться со страшным старичком...

[someuser]

наверняка эти мосфеты для многофазных БП материнских плат

Причём весьма древних, года 1998-го

И вопрос почти в тему.
По даташиту ёмкость затвора IRF3205 - 3247пФ (у древних HRF3205 - 4000pF Ciss+ 480pF Crss).
По измерениям 2х кучек от разных поставщиков - 5 нФ и 2 нФ.

Что из них фуфло?
Третьего (контрольного) источника транзисторов нет.

Это технологии так продвинулись в сторону уменьшения паразитного заряда или у 2нФ версии (справа) меньше параллельных ячеек на кристалле и следовательно макс. допустимый ток?

[_TAYPHUN_]

Производитель Fairchild Semiconductor уже не производит данные транзисторы, вместо них есть данные на FDP7030BL/FDB7030BL, но к счастью модели есть в симуляторах.
Изучаем лист данных на FDP7030L / FDB7030L, предоставленный Вами.
В графе ID два значения 80 А и 240 А, но стоит примечание "(Note 1)", читаем примечание, а там написано "1. Pulse Test: Pulse Width ‹ 300ms, Duty Cycle ‹ 2.0%" ширина импульса, по нашему длительность, меньше 300 мс и менее 2% от рабочего цикла, т. е. от периода. Вот при этих параметрах были сняты характеристики транзистора. При других значениях длительности и скважности импульсов, надо смотреть в симуляторе (во вложении).
Модели, предоставленные Fairchild Semiconductor, предназначены для моделирования процессов до 150° С°. Не знаю, схема похожа на Вашу или нет, как на картинке, решил нагрузить транзистор в симуляторе на активную нагрузку. При токе 80 А среднеквадратичная мощность выше 68 Вт, что выше паспортных данных, а при 240 А, и говорить нечего. Полную картину работы преобразователя можно увидеть при полной принципиальной схеме. Кстати, при уменьшении сопротивления R1, увеличивается ток через затвор, но уменьшается время выключения и включения транзистора.

Да принцип схемы тот, а насчёт примечаний я знал и читал, они у всех даются но при частоте не той которая нужна как всегда.

[_TAYPHUN_]

Ну ладно мы сейчас не о том спорим нужно понять как подобрать транзюк по мощности.