Микроконтроллеры с FRAM памятью

[Ar-Gen-Tum]

Вы прикалываетесь? FRAM не требует освежения. После чтения данные восстанавливаются, так как они разрушаются.

Нет. Я просто не понимаю, как чтением можно изменить(т.е. разрушить)
состояние ячейки памяти.
Как аналогия: гиря стоит в каком-то месте. Можно сколько угодно смотреть
на нее и записывать местоположение, но что-бы изменить ее местоположение
надо совершить работу.

[Popeye]

эх, сделали бы Тексас подешевле умные мощные транзисторы. По One-Wire управлять, умеют. С лампочкой на корпусе показывать непорядок. С термодатчиком и защитой, вроде немецких супер дорогиих автомобильных.
А Фрам хорошо, будем плавать к полюсам. http://ru.wikipedia.org/wiki/Фрам

[st_1]

Циклы считаются, только когда ферромагнетик поворачивается - то есть изменяется состояние бита. Если же он не поворачивается - то и ресурс не страдает. Сколько бы его не читали.

Да ну???
Сказки будем рассказывать, или почитаем, что сами TI пишут???

FRAM требует восстановления памяти после каждого чтения. Восстановление памяти выполняется, поскольку, как и в DRAM, ячейки памяти FRAM требуют перезаписи каждого считанного бита функцией обновления.

Для тех, у кого трудности с техническим...
http://www.ti.com/ww/ru/mcu/fram_ult...m_mcu_faqs.htm

[realid]

Нет. Я просто не понимаю, как чтением можно изменить(т.е. разрушить) состояние ячейки памяти.

Это особенность FRAM, при чтении содержимое стирается/разрушается/изменяется.

С вики:

Функционально FeRAM похожа на DRAM. Запись происходит путем проникновения поля через сегнетоэлектрический слой при заряжании электродов, принуждая атомы внутри принимать ориентацию вверх или вниз (в зависимости от полярности заряда), за счет чего запоминается «1» или «0». Однако, принцип чтения отличается от реализации в DRAM. Транзистор переводит ячейку в особое состояние, сообщая «0». Если ячейка уже содержит «0», то на линиях вывода ничего не произойдет. Если ячейка содержит «1», то переориентация атомов в прослойке приведет к короткому импульсу на выходе, так как они вытолкнут электроны из металла на «нижней» стороне. Наличие этого импульса будет означать, что ячейка хранит «1». Так как процесс перезаписывает содержимое ячейки, то чтение из FeRAM — деструктивный процесс, и требует регенерации данных в ячейке в случае их изменения в ходе считывания.

[Ar-Gen-Tum]

Это особенность FRAM, при чтении содержимое стирается/разрушается. Разработчик FRAM RAMTRON что зря будет писать.

С вики:

Я на Гав.ру про FRAM от RAMTRON читал. Там не очень много написано.
Но написано, что используется пленка из сегнетоэлектрика.
Про изменение состояния ячейки при чтении не написано.
Что такое FRAM?
В DRAM к примеру состояние ячейки считывается и этим-же значением
освежается содержимое ячейки.

[niXto]

st_1, то есть в Тексасе одни дураки и выпустили проц, ресурса которого хватит на 5 лет работы в бесконечном цикле (3 маш.цикла - проверка бита и переход, частота 20 МГц)?

Даже если состояние перезаписывается - в реальной программе, с длинным кодом и слипами, ресурса 10^14 хватит на сотни лет... Калькулятор возьмите...

[st_1]

Калькулятор возьмите...

Вот ещё... моск ломать...
http://www.ti.com/ww/ru/mcu/fram_ult...ry/index.htm#4
Всё уже посчитано до нас...

Так теряет FRAM циклы при чтении, "или нет"(С)???

[Ar-Gen-Tum]

В РФ похоже еще никто не продает эту серию.
Интересно сколько будет стоить к примеру МК MSP430FR5720 ?

[st_1]

Всё это конечно интересно... но не более... ИМХО...

[kison]

Забавно - круг замкнулся. Память в контроллерах начиналась с ЕЕПРОМ, а потом стала флэшью. Ес-но это о электрически стираемых только. Флэш хуже ЕЕПРОМ - пишется только странично, требует предварительного стирания и т.п. Но она сильно дешевле выходит - и ЕЕПРОМ больше не используют. FRAM же еще дороже.