[Решено] Как раскачать мост из IRF840? Синусоиду хочу... 220в ;)

[aleksey_gregul]

[QUOTE=Ye_Lviv;319483]правда немного греется но зато отрабатана./QUOTE]
А здесь возможны сквозняки через Т1 и Т2. Поэтому и греется.
Замените Т1 диодом и все будет холодным.

[serbil]

Кроме того, коммутация базы транзистора Т3 непосредственно на землю обеспечивает ему форсированное запирание.

не непосредственно, а через переход коллектор-эмитер, а это приблизительно 0,7В (не забываем что это биполярный транзистор) тоесть Т3 может полностью не закрываться, а если есть резистор в цепи базы Т3, то напряжение коллектор-эмитер делиться между 3,3к и переходом база-эмитер Т3, следовательно с резистором Т3 закрывается лучше, что и подтверждается экспериментально автором этой ветки.

[omercury]

Ну и от меня немножко...
MosfetControl.zip

[vadd]

При открытии нижнего транзистора имеем наверху открытый диод (HER308 - время рассасывания=75нс.) через который данный ток протекает. Вот Вам 75нс в течении которых имеем "прямой проход" от 300В в землю.

о каком именно месте синуса вы говорите?
о переходе через ноль?
или о импульсе шим?

ну .. так... в ЛЮБОМ случае будет открытый диод в стойке..закрывай все транзисторы открывай.. через диоды течет ток.. и будет течь пока не утечет все что накопилось в индуктивности!

пока ток кончится .. я НЕ ДОЖДУСЬ.. вся теория ШИМ рушится ..
какой то тупик...
тут надо сперва диоду сказать - закройся!
а потом открывать нижний ключик.

если вы говорите о импульсе шим.. то ничего не успеет произойти на большой индуктивности... онаже представляет собой некислое сопротивление на таких частотах (моторчик мой.. у него не маленькая индуктивнось..)
или я ошибаюсь?

[Bobanya]

Для нижнего ключа покупаю в нашем захолустьи LM5110 или LM5111 = два ключа в SOIC8, а для верхнего ПРИ ШИМе и на них можно после LM5110 поставить ВЧ трансформатор 1:1 с хорошей изоляцией обмоток и запитать затворы верхних МОSFETов...

[vadd]

ВЧ трансформатор 1:1 с хорошей изоляцией обмоток

рассматривалось.
на частоте 10 кгц размер впечатлил ))
на частоте 50 герц размер убил (верхние ключи работают на такой частоте)

если ставить драйвер, то ставить сразу на все.. высоковольтник.. и не.. е...ться ))
но мы не ищем легких путей )

[Bobanya]

на 50 Гц не предлагаю - предлагаю шимовать и верхние ключи, а как вы выбирали трансы на 10 кГц?

[flex-ka]

о каком именно месте синуса вы говорите?
о переходе через ноль?
или о импульсе шим?

О любом месте шима 10кГц. Соответственно, о любом месте в процессе "рисования" синуса. В том числе и о месте где, например, рисуется "макушка" синуса и напряжение на нагрузке максимально. И о том месте где максимален ток (где конкретно оно находится зависит от нагрузки).

пока ток кончится .. я НЕ ДОЖДУСЬ.. вся теория ШИМ рушится ..
какой то тупик...
тут надо сперва диоду сказать - закройся!
а потом открывать нижний ключик.

Именно. Для этого и надо закрыть все транзисторы. При этом ток протекая через обратные диоды в 300В емкость (само собой она должна быть не мизерной) быстро закончится (практически через то же время что и разгонялся т.е. соизмеримо с 10кГц).
Для отсутствия "провала" напряжения, при этом процессе, обычно включают параллельно нагрузке емкость. Присутствие некоторой индуктивности последовательно с нагрузкой, тоже желательно.

[Bobanya]

а ШИМ у вас сколько бит?

[Bobanya]

просто в своё время делал проект генератора синус-косинуса 50Гц c 16-ти разрядным ШИМом с тактовой частотой Шима 64Мгц при нулевой обвязке ATtiny45 в SOIC8 и это без таблиц значений а каждое следующее значение синус-косинуса вычмслялось 24-битной арифметикой в тиньке...