QSPICE и цирклотрон

[jpatay]

Нужно было проверить правильность схемы и исправность транзисторов.

Проверял уже сто раз. Переворачивал схему, всё также. Если б было что-то не так, такой симметричной амплитуды я бы не получил. Все транзисторы немецкие от Филипс. Отобрал все с бетой 420 при токе 6 мА на китайском тестере. Самому интересно разгадать этот ребус. Позже, когда испортится погода, ещё поэкспериментирую. Попробую уменьшать резисторы 2,4 кОм и 1,5 кОм.

[zoog]

в даташит про четыре слоя ничего не сказано, и на одном квадратном дюйме. Корпус этого транзистора рассеивает большую мощность чем обычные транзисторы в ТО-220.
Вы против, что это замечательный транзистор?

Я про оптимистичные даташиты). Кстати, не 1,8, а 1,5Вт (у ТО-220 2Вт), без ‹del›радиатора‹/del› теплоотвода - 1Вт, как и у народных SS8050.
И про то, что мощности более 0,3..0,5Вт требуют радиаторы (ну или полигоны - кому как удобнее) для надёжной работы.

[Yuri222]

Я про оптимистичные даташиты

Заглянул в даташит, посмотрел корпус, характеристики. Соглашусь с Вами - допустимая рассеиваемая мощность указана очень оптимистично.
При заявленном тепловом сопротивлении переход-среда 175 градусов на ватт это же как он при полутора ваттах раскочегарится. Ну, если более-менее длительное время под 200 градусов выдержит - то, возможно, как-то по-особенному кристалл изготовили...
Встречались перегретые транзисторы в видеоусилителях - текстолит почерневший, припой вокруг ног весь в трещинах, чтобы пропаять - нужно предварительно скальпелем выводы зачистить... Ну - работает, пусть и дальше работает, на сколько его хватит... Если охлаждения пожалели...

[bordodynov]

jpatay,
Решил я схему упростить и построил схему на операционниках. Получилось с большими гармониками, но преобладает вторая. Раскочегарил до 35 Вт.
В быстром фурье анализе показал, что операционник даёт мало искажений. Желательно ток покоя выставлять около 1 А, это уменьшает искажения при малых мощностях. Мощность на транзисторах тогда почти не зависит от мощности на нагрузке (примерно 30 Вт). Надо искать компромисс. Точность расчёта определяется точностью spice модели. У меня есть более аккуратные модели для транзисторов, применяемых в аудио. В этом случае результат расчётов получится более реальным.

[Yuri222]

ток покоя выставлять около 1 А... Мощность на транзисторах тогда почти не зависит от мощности на нагрузке (примерно 30 Вт)

Я так понимаю, что симулятором не учитывается SOA транзисторов...
При 1 ампере и питании 28В на транзисторе падение напряжения около 25В.
В даташите не указан этот режим при постоянном токе - только для 10 миллисек. одноразовых импульсов.
На графике SOA (при 25В между сток-истоком) :
80А при 100 мксек / 25А при 1 мсек / 8А при 10 мсек
[правда, это при температуре кристалла 175 градусов, но тем не менее...]
А что дальше? 2А при 100 мсек и 0,5А при длительности импульса в секунду?

[zoog]

Ну, если более-менее длительное время под 200 градусов выдержит - то, возможно, как-то по-особенному кристалл изготовили...

Tjmax там 200°. Это ещё даже некоторые советские транзисторы умели (1 штука - кт927), хотя, казалось бы, в технологическом плане СС сильно отставал.

Ну - работает, пусть и дальше работает, на сколько его хватит... Если охлаждения пожалели...

Дело в качестве корпусировки и самого кристалла, что определяют деградацию от температуры.

Получилось с большими гармониками, но преобладает вторая. Раскочегарил до 35 Вт.

Это как, ОУ искажает больше, чем 2-3 каскада транзисторов? Мож просто тока не хватает прокачивать паразиты мосфетов (кстати, какая у них вх. ёмкость, сим это может посмотреть?).

[Yuri222]

если кому интересно - вот статья о работе MOSFET в линейном режиме:
http://www.leoniv.diod.club/articles...linearmos.html

В datasheet на MOSFET обычно приводят график зависимости сопротивления канала от температуры ... сопротивление с ростом температуры увеличивается
Однако для MOSFET свойственен и другой эффект – уменьшение порогового напряжения Vgs(th) при повышении температуры. Этот эффект будет конкурировать с эффектом увеличения Rds(on).

Данные выводы относятся исключительно к линейному режиму работы.

Раз у MOSFET есть участок, где зависимость тока стока от температуры имеет положительный наклон, в этих транзисторах может наблюдаться термическая неустойчивость. Каждый мощный MOSFET транзистор внутри имеет множество ячеек. Фактически, это отдельные транзисторы, которые соединены параллельно. Если с повышением температуры ток через ячейку будет расти, образуется термическая положительная обратная связь, и ток растет еще больше. Это может привести к перегреву отдельных ячеек (образованию «горячих точек»), что грозит выходом транзистора из строя. Такой эффект наблюдается в биполярных транзисторах и может приводить к вторичному тепловому пробою. Оказывается, очень похожие эффекты могут наблюдаться и в MOSFET.

[jpatay]

Решил я схему упростить и построил схему на операционниках. Получилось с большими гармониками, но преобладает вторая. Раскочегарил до 35 Вт.

Видно пришло время мне организовывать небольшое ПКБ для реализации схем в готовые изделия.

Может тогда уже можно в эту схему на операх и ОООС ввести?

[bordodynov]

Это как, ОУ искажает больше, чем 2-3 каскада транзисторов?

Просто я сделал не симметричный парафазный усилитель, а это увеличило число чётных гармоник. Добавление резистора улучшает проблему.

[bordodynov]

Начитался страхов про полевики и сделал схему на биполярах: