Токовое зеркало.

[sxemak]

В модели это ток i'к текущий через диод, символизирующий коллекторный переход.
Для обратно смещенного этого диода в формулу подставляется напряжение Uкб со знаком минус. Тогда е в степени минус вырождается в единицу, разница в скобках становится очень малой величиной.
И ток коллектора будет определяться током генератора тока (а_ст*i'э) над диодом за минусом мизерного тока коллекторного перехода i'к.
Вот так расшифровывается ниже сказанное

О блин, вон как... Вот что значит чем проще тем лучше... Теперь хоть понятно в общих чертах что к чему... А то бы до посинения ковырял интернет...

[sxemak]

А к чему всё это столоверчение? Ещё к токовому зеркалу или уже "за жысть"? Если первое, то для понимания работы зеркала не нужна не только модель Эберса-Молла, но даже и Гуммеля-Пуна.

Так, Эберс-Молл краеугольный камень полупроводников как же без него то???
Одно перетекает в другое...
А следующим будет токовое зеркало Уилсона, а дальше актуален будет дифф. каскад и так далее...

[genao]

Тогда е в степени минус вырождается в единицу, разница в скобках становится очень малой величиной.

Исправил в единицу вырождается е в степени ноль, то есть при Uкб=0.
Надо читать так

Тогда е в степени минус вырождается в ноль, разница в скобках становится минус единицей
И ток коллектора будет определяться током генератора тока (а_ст*i'э) над диодом плюс (минус отрицательного тока) мизерный ток коллекторного перехода i'к.

[sxemak]

В модели это ток i'к текущий через диод, символизирующий коллекторный переход.
Для обратно смещенного этого диода в формулу подставляется напряжение Uкб со знаком минус.
Тогда е в степени минус вырождается в ноль, разница в скобках становится минус единицей
И ток коллектора будет определяться током генератора тока (а_ст*i'э) над диодом плюс (минус отрицательного тока) мизерный ток коллекторного перехода i'к.

Вот так расшифровывается ниже сказанное

С математическим обоснованием понятно.
Но вот это.

В модели это ток i'к текущий через диод, символизирующий коллекторный переход.
И то что это ток не самого коллектора а перехода.

Что значит символизирующий переход? Ток перехода???

[genao]

Что значит символизирующий переход? Ток перехода???

Уже ведь объясняли, что в модели

Я же уже писал, что токи (заряды) идут, через одну и туже область.
Просто составляющие тока разные и их удобно нарисовать параллельно.
Одна составляющая 1 вычисляется по экспоненциальному закону (диод),
а другая вычисляется 2 как величина части тока другого перехода.
Суммарный ток является результирующим током через переход.
Людям было удобно делать разбивку тока на части.
Это наглядно, чем писать громоздкие уравнения. Это всё упростило и это заслуга Эберса и Мола.

1 вычисляется по экспоненциальному закону (диод) это ток i'к текущий через диод (символ), так как подчиняется закону протекания тока через обычный диод, в нашем случае через коллекторный переход, эмиттер условно оборван и действует только NP переход коллекторный, без участия эмиттерного тока. При раздельном подключении напряжения к каждому переходу, их ВАХ определяется также как и в случае диода. Потому и нарисован символы диода, символизирующие раздельные/отдельные переходы, эмиттерный и коллекторный.

2 как величина части тока другого перехода. генератор тока (а_ст*i'э) над диодом, То есть вычисляется составляющая тока, которая присутствует только в транзисторе, в диоде такого нет. Это та составляющая тока, которая зависит от тока в другом переходе, и собственно составляет суть управления транзистором.
То есть управляя током эмиттера, который зависит от Uбэ, управляем током коллектора.

[sxemak]

Уже ведь объясняли, что в модели


1 вычисляется по экспоненциальному закону (диод) это ток i'к текущий через диод (символ), так как подчиняется закону протекания тока через обычный диод, в нашем случае через коллекторный переход, эмиттер условно оборван и действует только NP переход коллекторный, без участия эмиттерного тока. При раздельном подключении напряжения к каждому переходу, их ВАХ определяется также как и в случае диода. Потому и нарисован символы диода, символизирующие раздельные/отдельные переходы, эмиттерный и коллекторный.

2 как величина части тока другого перехода. генератор тока (а_ст*i'э) над диодом, То есть вычисляется составляющая тока, которая присутствует только в транзисторе, в диоде такого нет. Это та составляющая тока, которая зависит от тока в другом переходе, и собственно составляет суть управления транзистором.
То есть управляя током эмиттера, который зависит от Uбэ, управляем током коллектора.

Это то я понял.
Похоже я не правильно задал вопрос...
Задаю вопрос с самого начала.

Я спросил, что такое над эмиттерным диодом?
Получил ответ, а другая вычисляется как величина части тока другого перехода.
Далее я спрашиваю а ни эта ли, коллектор находясь под обратным напряжением инжектирут ток навстречу эмиттерному току?
Получаю ответ, нифига не эта.

Отсюда и вопрос.

Какой физический процесс транзистора имитирует этот виртуальный генератор а_стi*i'к ?

[ForcePoint]

Какой физический процесс транзистора имитирует этот виртуальный генератор а_стi*i'к ?

Этим источником тока имитируется инверсное включение транзистора, когда коллектор и эмиттер поменяны местами.
В нормальном включении этот ток пренебрежимо мал по сравнениею с током генератора, подключенного парарллельно коллекторному переходу.

P.S. Нас троллят?

[ForcePoint]

Так, Эберс-Молл краеугольный камень полупроводников как же без него то???
Одно перетекает в другое...
А следующим будет токовое зеркало Уилсона, а дальше актуален будет дифф. каскад и так далее...

Понимать - это одно (можно и без моделей).
Рассчитывать - другое. Хотя и тут - для того, что-бы рассчитать с приемлемой в инженерной практике точностью (до 1..2 знаков) модели зачастую не требуются.

[sxemak]

Этим источником тока имитируется инверсное включение транзистора, когда коллектор и эмиттер поменяны местами.
В нормальном включении этот ток пренебрежимо мал по сравнениею с током генератора, подключенного парарллельно коллекторному переходу.

P.S. Нас троллят?

Нашёл другую схему
Надо найти ток эмиттера в нормальном включении транзистора.
Iэ=I1-I2
В нормальном включении транзистора когда переход БЭ находится в прямом включении, обрываем(или замыкаем на базу, непонятно!)
коллектор и находим чистый ток эмиттера, без воздействия прехода БК.
I1=IЭ0*(е(Uбэ/Фт)-1)
Теперь надо найти ток коллектора в нормальном состояни, тоесть когда к переходу БК приложенно обратное напряжение.
По схеме это генератор над преходом БЭ, ai*I2
И в итоге:
Iэ=IЭ0*(е(Uбэ/Фт)-1)-an*IК0*(е(-Uбк/Фт)-1)

Так правильно?

[genao]

Так правильно?

В нормальном включении транзистора когда переход БЭ находится в прямом включении, обрываем(или замыкаем на базу, непонятно!) коллектор
и находим чистый ток эмиттера, без воздействия прехода БК.

Замеренные токи Iкбо (c оборванным эмиттером) и Iэбо (c оборванным коллектором)
нужно еще преобразовать в токи Iкs и Iэs, которые стоят в формуле при Uбэ=0 и Uбэ.
Поскольку на переходе при нулевом напряжении, то есть при измерении путем замыкания выводов обязательно начинается перераспределение зарядов в базе и текут всякие другие токи, так как к выводу коллектора или эмиттера, соединенных с базой приложено напряжение) то измерить чистый тепловой ток невозможно.
Поэтому тепловой ток измеряют при отключенном выводе либо эмиттера, либо коллектора, для обратносмещенного перехода.
Преобразование для подстановки простое
Iks=Iкбо/(1-аn*ai) и Iэs=Iэбо/(1-аn*ai), а для прямосмещенного перехода еще вместо Фт ставится Фт*m, где m=1 для германия, m=2-4 для кремния.