 |
Поиск Datasheets |
|
| 2N6490 |
SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS |
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
 |
|
2N6490 Datasheet
|
|
|
Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
2N6490 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| BD157 |
Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor |
Motorola, Inc |
|
| 1W10G |
Single Phase 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge Rectifiers |
Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
|
| 12102F2M8B20D |
Surface-mount ceramic multilayer capacitors |
Motorola, Inc |
|
| 1W10 |
EDI Single-1 to 12 Amperes Commercial Grade Bridges |
Electronic devices inc. |
|
| 0702871246 |
2.54mm (.100") Pitch C-Grid Header, Breakaway, Dual Row, Vertical, with Retention Pin, 6 Circuits, 8.13mm |
Molex Electronics Ltd. |
|
|  |
|
Реклама на сайте |
|
|
Datasheet's на KAZUS.RUN |
|
|
• 15.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
|
|
|
|
