Описание и применение
2А543 — серия бескорпусных кремниевых меза-эпитаксиальных полупроводниковых СВЧ-диодов с p-i-n структурой переключательного типа. Предназначены для применения в составе гибридных интегральных микросхем в диапазоне частот 0,3-18 ГГц.
Диоды поставляются в трёх исполнениях: 2А543А-5 — отдельными кристаллами; 2А543А-6 — кристалл на пьедестале; 2А543Б-6 — кристалл в «кроватке». Это определяет способ монтажа кристалла в микросхему.
Ключевые особенности p-i-n структуры: малая общая ёмкость (0,12-0,22 пФ при Uобр=20 В), высокая критическая частота (не менее 300 ГГц) и малый накопленный заряд — что и обеспечивает работу в СВЧ-переключателях и аттенюаторах.
Технические характеристики
| Тип прибора | Бескорпусный кремниевый p-i-n диод СВЧ, переключательный |
| Структура | Меза-эпитаксиальная, p-i-n |
| Рабочий диапазон частот | 0,3-18 ГГц |
| Исполнения | 2А543А-5 (отдельные кристаллы); 2А543А-6 (кристалл на пьедестале); 2А543Б-6 (кристалл в «кроватке») |
| Пробивное напряжение (Uпроб) при обратном токе 10 мкА | не менее 100 В |
| Критическая частота (Fкр) при Iпр=5 мА, Uобр=20 В | не менее 300 ГГц |
| Накопленный заряд (Qнк) при Iпр=5 мА | 0,5-3 нКл |
| Прямое сопротивление потерь (Rпр) при Iпр=5 мА | не более 1,5 Ом |
| Общая ёмкость диода (Сд) при Uобр=20 В, f=10 МГц | 2А543А-5: 0,12-0,19 пФ; 2А543А-6 / 2А543Б-6: 0,15-0,22 пФ |
| Постоянное прямое напряжение (Uпр) при Iпр=5 мА | 0,9-1,2 В |
| Температура измерения параметров | 25±10 °С (Uпр также при 125±5 °С и −60±3 °С) |
Техническая документация
