Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


LFA-14/i-ip — лазерный модуль (аналоговый, 1310 нм)


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

LFA-14/i-ip — оптические модули, изготовленные на основе неохлаждаемого лазерного диода 1310 нм со структурой MQW InGaAsP/InP типа Фабри—Перо, отличающегося высокой линейностью. Выпускаются в стандартном корпусе со встроенным волоконным световодом, микрочипом оптического изолятора и фотодиодом обратной связи.

Модули имеют широкий диапазон рабочих температур, высокую стабильность мощности излучения и ресурс работы более 5·10⁵ часов.

LFA-14/i-ip являются источниками излучения для волоконно-оптических линий передачи с аналоговой модуляцией сигнала: кабельного телевидения и других применений, требующих высокой линейности оптического сигнала.

Технические характеристики

Длина волны излучения1290 / 1310 / 1330 нм (мин./тип./макс.)
Мощность на выходе оптического волокнатип. 2.0 мВт (> 2.0 мВт)
Ширина спектра излучения (Δλ)макс. 2.0 нм
Пороговый ток (Iпор, CW)тип. 8.0 мА, макс. 12 мА
Рабочий ток (If)тип. 30 мА, макс. 40 мА
Рабочее напряжение (Uоп)тип. 1.1 В, макс. 1.5 В
Относительная интенсивность шума (RIN)макс. −155 дБ/Гц
СTB (IMD3)макс. −60 dBm
Оптический изолятор (Iso)мин. 30 дБ
Фотодиод ОС: управляющий фототок (Iпд)тип. 500 мкА, макс. 1000 мкА (Uобр=5.0 В)
Фотодиод ОС: темновой ток (Iо)тип. 0.01 мкА, макс. 0.1 мкА (Uобр=5.0 В)
Фотодиод ОС: ёмкость (Cпд)тип. 10 пФ, макс. 20 пФ (Uобр=5.0 В, f=1 МГц)
Оптическое волокно (жила/оболочка)9/125 мкм
Диаметр буферного покрытия900 мкм
Длина оптического волокна0.3 … 1.0 м (0.3/0.5/0.8/1.0 м)
Тип разъёмаFC* / ST / SC
Тип корпусаA / B* / C
Диапазон рабочих температур−10 … +80 °C
Диапазон температур хранения−45 … +85 °C
Температура пайки контактовмакс. 235 °C
Время пайки контактовмакс. 3 с
Предельная мощность на выходе волокна (Pop max)3.0 мВт
Предельное обратное напряжение ЛД (UR max)2.0 В
Предельное напряжение смещения ФД (Urev max)10 В
Предельный ток ФД (Ipd max)1.5 мА

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Оптоэлектроника879
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Оптоэлектроника»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»