Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


LFA-14-ip — лазерный модуль 1310 нм с одномодовым волокном


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

LFA-14-ip — оптические модули, изготовленные на основе неохлаждаемого 1310 нм MQW InGaAsP/InP Фабри-Перо лазерного диода с высокой линейностью, состыкованного с одномодовым оптическим волокном. Выпускаются в стандартных корпусах со встроенной коллимирующей микролинзой и фотодиодом обратной связи.

Модули имеют широкий диапазон рабочих температур, высокую стабильность мощности излучения и ресурс работы более 5×10⁵ часов. Рабочая длина волны 1290…1330 нм (тип. 1310 нм), мощность на выходе оптического волокна более 2.0 мВт.

Являются источниками излучения для волоконно-оптических линий связи с аналоговой модуляцией сигнала, систем кабельного телевидения и других применений, требующих высокой линейности оптического сигнала.

Технические характеристики

Тип лазерного диодаMQW InGaAsP/InP, Фабри-Перо, неохлаждаемый
Мощность на выходе оптического волокна, P_optтип. 2.0 мВт (> 2.0 мВт)
Длина волны излучения, λ_opt1290 / 1310 / 1330 нм (мин./тип./макс.)
Полуширина спектра излучения, Δλ— нм
Пороговый ток, I_th (CW)тип. 8.0 / макс. 12 мА
Рабочий ток, I_opтип. 30 / макс. 40 мА
Рабочее напряжение, U_opтип. 1.1 / макс. 1.5 В
Относительная интенсивность шума, RINмакс. −155 дБ/Гц
CTB, IMD3макс. −60 дБм
Фотодиод обратной связи — управляющий фототок, I_mo (U_обр=5.0 В)тип. 500 / макс. 1000 мкА
Фотодиод обратной связи — темновой ток, I_d (U_обр=5.0 В)тип. 0.01 / макс. 0.1 мкА
Фотодиод обратной связи — ёмкость, C_ph (U_обр=5.0 В, f=1 МГц)тип. 10 / макс. 20 пФ
Оптическое волокно (диаметр сердцевина/оболочка), D₁/D₂9/125 мкм
Диаметр буферного покрытия, D_б900 мкм
Длина оптического волокна0.3…1.0 м
Диапазон рабочих температур, T_op−10…+80 °C
Диапазон температур хранения, T_st−45…+85 °C
Температура пайки выводов, T_S235 °C
Время пайки контактов, t_S3 сек
Макс. мощность на выходе оптического волокна, P_op.max3.0 мВт
Обратное напряжение (макс.), U_R.max2.0 В
Тип разъёмаFC / ST / SC
Тип корпусаA / B / C

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Оптоэлектроника879
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Оптоэлектроника»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»