КТ316АМ — транзистор

Чем строка АМ отличается от строки А

В серийной таблице КТ316АМ расходится с КТ316А ровно одной графой — предельным током. У пяти букв без индекса М там записана пара 30/50, у пяти М-исполнений — одно число 50. Остальные тринадцать строк совпадают дословно: структура, усиление, частота, обе ёмкости, рассасывание, насыщение, утечка, все предельные напряжения и мощность.

Кремний, структура n-p-n, работа на верхних частотах при малой мощности — по классу прибора сравнивать эти два обозначения не с чем. Выбор между ними сводится к одной строке, всё прочее решается на уровне серии.

Нижние группы по усилению и частоте

По усилению у АМ записаны границы 20—60 — самая низкая пара в таблице и самая узкая по абсолютной ширине; кроме АМ она есть только у А. Граничная частота 600 МГц, вместе с А, Г и ГМ. Обе величины помещают исполнение в основание серии — туда, где схеме хватает умеренного усиления и не нужны верхние сотни мегагерц.

Узость вилки — не только недостаток. Троекратное отношение границ против пятикратного у Г и Д даёт более предсказуемую рабочую точку, а в каскадах без глубокой обратной связи это заметно упрощает расчёт.

Импульсные нормировки

В строке рассасывания у АМ стоит 10 нс; так же нормированы А, Б и БМ, тогда как у В и ВМ стоит 15 нс. Постоянная времени Rб·Cк для этой буквы не приводится вовсе.

Напряжение насыщения — 0,4 В при токе коллектора, вдесятеро превышающем базовый. Ток насыщения у М-исполнений отдельным числом не выделен: в токовой графе стоит только 50, тогда как у А приведены обе величины.

Общие величины серии

Ёмкости общесерийные: коллекторная 3 пФ на пяти вольтах, эмиттерная 2,5 пФ на нуле. Обратный ток коллектора 0,5 мкА. Оба коллекторных напряжения ограничены десятью вольтами, причём второе нормировано с резистором в базовой цепи; на эмиттерном переходе допустимы четыре вольта обратного смещения. В графе мощности стоит 150 мВт. Ни одна из этих граф от буквы не зависит.

Соседние строки: КТ316БМ поднимает усиление до 40—120 и частоту до 800 МГц, КТ316ГМ при той же частоте 600 МГц расширяет вилку до 20—100. Сводка по всем исполнениям — на странице серии КТ316.

Технические характеристики

Обозначение	КТ316АМ
Структура	n-p-n
h_21э: B1-B2 / I_к	20-60/10
f_гр, МГц	600
C_к / U_к, пФ/В	3/5
C_э / U_эб, пФ/В	2.5/0
R_б·C_к, пс	-
tрас, нс	10
U_кэ нас / (I_к/I_б)	0.4/(10/1 )
I_кбо, мкА	0.5
U_кб max, В	10
U_кэ / R	10/3
U_эб max, В	4
I_к max / I_к нас	50/
P_к, мВт	150

Исполнения серии КТ316

Исполнение	h_21э: B1-B2 / I_к	f_гр, МГц	I_к max / I_к нас	R_б·C_к, пс	tрас, нс
А	20-60/10	600	30/50	-	10
Б	40-120/10	800	30/50	-	10
В	40-120/10	800	30/50	-	15
Г	20-100/10	600	30/50	150	-
Д	60-300/10	800	30/50	150	-
АМ	20-60/10	600	50/	-	10
БМ	40-120/10	800	50/	-	10
ВМ	40-120/10	800	50/	-	15
ГМ	20-100/10	600	50/	150	-
ДМ	60-300/10	800	50/	150	-

Паспортные параметры КТ316АМ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	20…60
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	600
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rк = 75 Ом, не более, нс	10
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее, В	5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	1,1
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +25 °C, не более, мкА	0,5
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В и +25 °C, не более, мкА	1
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более, пФ	3
Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более, пФ	2,5
Предельное постоянное напряжение коллектор-база, В	10
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 3 кОм, В	10
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база, В	4
Предельный постоянный ток коллектора и эмиттера, мА	30
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт	150 (при температуре до +85 °C)

Чем КТ316АМ отличается от других исполнений

Исполнение	Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rк = 75 Ом, не более, нс
А	20…60	600	10
АМ	20…60	600	10
Б	40…120	800	10
БМ	40…120	800	10
ВМ	40…120	800	15
Г	20…100	600	—
Д	60…300	800	—
ДМ	60…300	800	—

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 321
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 168

Внешний вид

КТ316 — все исполнения серии