Рабочая середина серии
КТ816Б — p-n-p транзистор на 3 А, второй в своей серии по допустимому напряжению коллектор-эмиттер: 50 В, нормировано при ста омах между базой и эмиттером. Коэффициент передачи тока — не менее 20 на токе коллектора 2 А, то есть старшая группа ряда.
Из двух буквозависимых граф Б занимает край только в одной: старшую группу усиления он держит наравне с А и В. Напряжение же у него второе снизу из четырёх — середина лестницы, а не её конец. Потому букву и берут, когда жёстких ограничений схема не ставит, а нужен сильноточный ключ или регулирующий элемент с предсказуемым поведением.
Что означает норма усиления на двух амперах
Минимум 20 при 2 А задаёт требование к драйверу: сотня миллиампер в базу, чтобы гарантированно получить два ампера в коллекторе. Для схем на логике это много, и между управлением и транзистором обычно появляется промежуточный каскад. Предельный базовый ток 1 А оставляет для этого достаточный простор.
Отдельно нормирована точка глубокого насыщения: 1.0 В при 3 А коллекторного и 0.3 А базового тока. Отношение токов здесь десять к одному, и именно на нём гарантирован вольт падения; при более скромной раскачке падение вырастет вместе с нагревом.
Мощность, которую придётся отвести
Три ампера при вольте падения дают три ватта даже в полностью открытом состоянии, а в линейном режиме рассеяние оказывается кратно больше. Таблица разрешает 1 Вт без теплоотвода и 20 Вт с ним при тепловом сопротивлении переход-корпус 5 °C/Вт, так что практически любое применение этой серии подразумевает радиатор.
Прочие пределы: 3 А постоянного коллекторного тока, 6 А в насыщении, 5 В обратного напряжения на эмиттерном переходе. Граничная частота 3 МГц, ёмкости переходов 115 и 150 пФ при 5 В.
Движение по буквам
Замена Б на В повышает предел до 70 В и больше ничего не затрагивает. Замена на Г поднимает его до 100 В, но снижает гарантированное усиление до 15, из-за чего базовый ток для тех же двух ампер вырастает примерно до 133 мА. Обратная подстановка, КТ816А вместо Б, уменьшает допустимое напряжение до 40 В и оправдана лишь при полной уверенности в режиме.
Токовые и тепловые строки при любом из этих переходов остаются прежними, конструкция узла не меняется. Полная таблица — на странице серии КТ816.
Технические характеристики
| Обозначение | КТ816Б |
| Структура | p-n-p |
| h21э: B1-B2 / Iк | 20-/2 |
| fгр, МГц | 3 |
| Cк / Uк, пФ/В | 115/5 |
| Cэ / Uэб, пФ/В | 150/5 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 1.0(3/0.3) |
| Uкэ / R | 50/100 |
| Uэб max, В | 5 |
| Iк max / Iк нас | 3/6 |
| Iб max, А | 1 |
| Pк / Pт, Вт | 1/20 |
| Rт п-к, °C/Вт | 5 |
Исполнения серии КТ816
| Исполнение | h21э: B1-B2 / Iк | Uкэ / R |
| А | 20-/2 | 40/100 |
| Б | 20-/2 | 50/100 |
| В | 20-/2 | 70/100 |
| Г | 15-/2 | 100/100 |
Внешний вид
КТ816 — все исполнения серии