Транзисторы МП14 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП14
Самая низковольтная литера серии
МП14 — германиевый сплавной транзистор структуры p-n-p, маломощный, низкочастотный, универсального назначения; металлостеклянный корпус с гибкими выводами, масса не более 2 г. В справочниках он идёт одной таблицей с МП13 и МП15, а внутри собственной серии занимает нижнюю ступень по допустимому напряжению. Все три перехода выдерживают 15 В, тогда как у литер А, Б и И нормируется 30 В. Выше +50 °C планка опускается до 10 В. Импульсно по коллектор-базе разрешено 30 В — вдвое больше постоянного значения, и эта графа заполнена только для бесбуквенного исполнения.
Токи, мощность и тепловой предел
Постоянный ток коллектора — 20 мА, средний ток эмиттера — 30 мА. В импульсе при длительности до 3 мкс, скважности от 4 и сопротивлении в коллекторе не менее 75 Ом допускается 150 мА. Рассеиваемая мощность записана тремя значениями: 150 мВт до +50 °C, 100 мВт при пониженном давлении 665 Па и 75 мВт при +70 °C. Температура перехода ограничена 85 °C, рабочий диапазон среды — от −60 до +70 °C.
Усиление и его температурный ход
Коэффициент передачи тока измеряется при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА и частоте 1 кГц; для МП14 он равен 20—40. На −60 °C нижняя граница падает до 7, на +70 °C верхняя уходит к 100. Такой разброс типичен для германия и означает, что каскад на этом приборе нельзя рассчитывать на конкретное значение усиления — только на диапазон, с глубокой обратной связью. Предельная частота коэффициента передачи тока — не ниже 1 МГц, сопротивление базы не более 150 Ом, ёмкость коллекторного перехода не более 50 пФ.
Обратные токи
При +20 °C сквозной ток коллектор-эмиттер с закороченным промежутком база-эмиттер не превышает 30 мкА, столько же нормируется по эмиттерному переходу. По этой графе МП14 идёт вровень с МП14А и оказывается лучше литер Б и И, где допускается 50 мкА. При +70 °C обратный ток коллектора нормируется величиной 200 мкА, причём измерение ведётся при 10 В для МП14 и при 20 В для исполнений с буквами. Все приведённые числа взяты из печатных справочников и сверены между изданиями.
Паспортные параметры МП14
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+50 °C, В
15
Uкб макс при +50…+70 °C, В
10
Uкб макс импульсное при −60…+50 °C, В
30
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер, Rэб ≤ 2 кОм) при −60…+50 °C, В
15
Uкэ макс при +50…+70 °C, В
10
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база) при −60…+50 °C, В
h22б макс (выходная проводимость при холостом ходе; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц), мкСм
2,5
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП14 отличается от других исполнений
Параметр
МП14
А
Б
И
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+50 °C, В
15
30
30
30
Uкб макс при +50…+70 °C, В
10
20
20
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер, Rэб ≤ 2 кОм) при −60…+50 °C, В
15
30
30
30
Uкэ макс при +50…+70 °C, В
10
20
20
20
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база) при −60…+50 °C, В
15
30
30
30
Uэб макс при +50…+70 °C, В
10
20
20
20
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
20-40
20-40
30-60
20-80
h21э при −60 °C, -
7-40
7-40
12-60
7-80
h21э при +70 °C, -
20-100
20-100
30-150
20-150
Iкэо (обратный ток коллектор-эмиттер при Rэб = 0) при +20 °C, не более — Uкэ = 15 В для МП14 и 30 В для литер А, Б, И, мкА
30
30
50
50
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 83-85
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.84 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.85 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.86 (отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 125 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 125-127 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989 (таблицы перечитаны глазами при перепроверке), с.36-37 (графа Тп max = 85 °C)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.36 и 38 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.37 и 39 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
