Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


МП26 — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы МП26 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеМП26

Семьдесят вольт и сто в облегчённом режиме

МП26 — германиевый маломощный транзистор с высоким для этого класса допустимым напряжением: 70 В по коллектор-базе и эмиттер-базе, столько же по коллектор-эмиттеру, если в цепи база-эмиттер стоит резистор не более 500 Ом. Если температура не выше +50 °C, а рассеиваемая мощность не превышает 100 мВт, коллекторная графа поднимается до 100 В. Пробивное напряжение коллекторного перехода на пульсирующем напряжении 50 Гц — не менее 100 В.

Ток: 300 мА против 400 у литер

В режиме насыщения и в импульсном режиме бесбуквенное исполнение нормируется на 300 мА, тогда как в графе МП26А и МП26Б стоит 400 мА. Это единственная строка предельных режимов, по которой базовый прибор отличается от буквенных. Рассеиваемая мощность 200 мВт при температуре среды до +35 °C, тепловое сопротивление 0,2.

Насыщение и ток базы при измерении

Остаточное напряжение коллектор-эмиттер при токе коллектора 100 мА не превышает 0,3 В, а напряжение база-эмиттер в том же режиме — 1,2 В против 1,0 В у литер А и Б. Существенно и то, каким током базы это снимается: для МП26 задаётся 30 мА, для МП26А — 20 мА, для МП26Б — 15 мА. Иначе говоря, базовому исполнению для входа в насыщение нужна накачка в полтора раза щедрее, чем литере А, и вдвое щедрее, чем литере Б. Отсюда следует практическое: заменяя базовое исполнение на литеру, стоит пересчитать резистор в цепи базы, иначе ключ окажется перекачанным.

Частота, переключение, утечки

Предельная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 35 В и Iэ = 1,5 мА — не менее 200 кГц; у МП26Б в этой графе 500 кГц. Время переключения при токе эмиттера 25 мА и напряжении на коллекторе 30 В — не более 1,5 мкс, одинаково для всех исполнений. Обратные токи коллектора и эмиттера при +20 °C и 70 В — по 75 мкА. Данные взяты из печатных справочных таблиц. Графа коэффициента передачи тока для бесбуквенного МП26 в справочных таблицах не заполнена — она приведена только для исполнений А и Б.

Паспортные параметры МП26

Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база), В70
Uкб макс при T ≤ +50 °С и Pк ≤ 100 мВт (облегчённый режим), В100
Uкэ макс (при Rэб ≤ 500 Ом), В70
Uэб макс, В70
Pк макс (при температуре до +35 °С), мВт200
Iк (Iэ) макс в режиме насыщения / импульсном — ГРАФА, ОТЛИЧАЮЩАЯ МП26 БЕЗ БУКВЫ ОТ МП26А/Б, мА300
fh21б (предельная частота усиления тока, Uкб=35 В, Iэ=1,5 мА) — ГРАФА РАЗЛИЧИЯ ЛИТЕРЫ Б, кГцне менее 200
Iкбо макс при +20 °С (Uкб=70 В), мкА75
Iэбо макс (Uэб=70 В, +20 °С), мкА75
Пробивное напряжение коллекторного перехода (пульсирующее, 50 Гц), Вне менее 100
Uбэ нас при Iк=100 мА, Вне более 1,2
Uкэ нас при Iк=100 мА, Вне более 0,3
Ток базы при измерении напряжения на насыщенном транзисторе, мА30
Время переключения (Iэ=25 мА, Uк=30 В), мксне более 1,5
Rт (тепловое сопротивление), °С/мВт0,2

Чем МП26 отличается от других исполнений

ПараметрМП26АБ
Iк (Iэ) макс в режиме насыщения / импульсном — ГРАФА, ОТЛИЧАЮЩАЯ МП26 БЕЗ БУКВЫ ОТ МП26А/Б, мА300400400
fh21б (предельная частота усиления тока, Uкб=35 В, Iэ=1,5 мА) — ГРАФА РАЗЛИЧИЯ ЛИТЕРЫ Б, кГцне менее 200не менее 200не менее 500
Uбэ нас при Iк=100 мА, Вне более 1,2не более 1,0не более 1,0
Ток базы при измерении напряжения на насыщенном транзисторе, мА302015

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • elektrouzel.ru (вторичный веб-источник)
  • rcl-radio.ru (вторичный веб-источник)
  • rudatasheet.ru (вторичный веб-источник)
  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 94, 95
  • Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 247
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 36, 37
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988, с. 42
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1190. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры: диоды, транзисторы, с. 42
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 879. Транзисторы, 1975, с. 34, 35
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 940. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1977
  • Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам

Внешний вид

МП26

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»