Описание и применение
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т321Е |
| Зарубежный аналог | 2N1132J |
Внешний вид
Все исполнения серии: КТ321