Описание и применение
Транзисторы КТ931А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Технические характеристики
Восемьдесят ватт на ста семидесяти пяти мегагерцах
КТ931А — кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор, генераторный, сверхвысокочастотный. Выходная мощность 80 Вт при напряжении питания 28 В и частоте 175 МГц. Назначение прямо названо в справочнике: широкополосные усилители мощности класса С, умножители частоты и автогенераторы на частотах 50–200 МГц.
Коэффициент полезного действия коллектора — не менее 50 %, типовое значение 60 %. Для класса С это нормально и означает, что при восьмидесяти ваттах отдачи на самом транзисторе рассеивается ещё порядка пятидесяти, и без серьёзного теплоотвода он живёт секунды.
Внутри корпуса — согласующая цепь
Отличительная особенность прибора, о которой стоит знать до включения: транзистор содержит внутреннее согласующее LC-звено. Его типовые значения приведены в паспорте — индуктивность 0,43 нГн и ёмкость 1600 пФ.
Это меняет подход к схеме. Обычный мощный СВЧ-транзистор имеет очень низкое входное сопротивление, и согласование с пятьюдесятью омами приходится строить снаружи. Здесь часть этой работы уже сделана внутри корпуса, и внешние цепи рассчитываются с учётом встроенного звена, а не так, как для «голого» кристалла. Ёмкость коллекторного перехода при 28 В — не более 240 пФ, типовое значение 190 пФ.
Военный двойник и корпус
Справочник описывает КТ931А вместе с военным 2Т931А одним разделом. Различие нашлось ровно одно: обратный ток коллектор–эмиттер при 60 В и сопротивлении в базовой цепи 10 Ом — не более 30 мА у КТ931А против 20 мА у 2Т931А. Остальные параметры общие.
Корпус металлокерамический, с гибкими ленточными выводами, масса не более 7 г. Ленточные выводы для СВЧ не роскошь: у них меньше индуктивность, и справочник специально приводит её типовые значения по каждому выводу — от 0,29 до 2 нГн в зависимости от длины. На двухстах мегагерцах эти доли наногенри уже участвуют в схеме.
Паспортные параметры КТ931А
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
- Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т931