Описание и применение
Транзисторы 2Т671А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 8,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т671А-2 |
| Зарубежный аналог | NE56854 |
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т671А2
