Описание и применение
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Бескорпусные с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т3124А-2 |
| Зарубежный аналог | 2N6617 |
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т3124
