Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
2П307А
Зарубежный аналог
2N5394
Паспортные параметры 2П307А
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
3…9
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В
4…9
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В
4
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В
2
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В
0,5…3
Электродвижущая сила шума при Uси = 10 В, Uзи = 0, не более, нВ/√Гц
20 (на частоте 1 кГц)
Коэффициент шума на частоте 400 МГц при Uси = 10 В, Iс = 5 мА, не более, дБ
6
Ток утечки затвора при Uзи = −10 В и +25 °C, не более, нА
1,0
Ток утечки затвора при Uзи = −10 В и +125 °C, не более, мкА
1,0
Ток утечки затвора при Uзи = −30 В, не более, мкА
10
Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ
5
Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ
1,5
Предельный ток затвора, мА
5
Температура структуры, не более, °C
+140
Масса транзистора, не более, г
0,5
Чем 2П307А отличается от других исполнений
Параметр
А
Б
Г
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
3…9
5…15
8…24
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В
4…9
5…10
6…12
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В
4
5
6
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В
2
2,5
3
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В
0,5…3
1…5
1,5…6
Электродвижущая сила шума при Uси = 10 В, Uзи = 0, не более, нВ/√Гц
20 (на частоте 1 кГц)
2,5 (на частоте 100 кГц)
2,5 (на частоте 100 кГц)
Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 845
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 332
