Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2П7160А2 — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Радиационно-стойкий полевой ключ с изолированным фланцем

2П7160А2 — мощный радиационно-стойкий кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом. Металлокерамический корпус с беспотенциальным (изолированным) фланцем и планарными выводами: прибор ставится на радиатор без изолирующих прокладок. Применялся во вторичных источниках электропитания и импульсных модуляторах изделий специального назначения.

Что именно радиация делает с МОП-транзистором

Полевой транзистор с изолированным затвором чувствителен к излучению сильнее биполярного, и уязвимо у него одно конкретное место — подзатворный окисел.

Накопление заряда в окисле. Ионизирующее излучение создаёт в диоксиде кремния пары носителей. Электроны уходят быстро, а дырки остаются в ловушках — окисел заряжается положительно. Этот заряд действует как дополнительное напряжение на затворе и сдвигает пороговое напряжение вниз.

Для n-канального прибора это означает, что он начинает приоткрываться при нулевом затворе. Ключ, который должен быть закрыт, пропускает ток; при достаточной дозе он не закрывается вовсе.

Поверхностные состояния на границе окисел-кремний ухудшают подвижность носителей — растёт сопротивление открытого канала.

Одиночные события. Тяжёлая частица, прошедшая сквозь кристалл, оставляет за собой проводящий след. В высоковольтном ключе под напряжением этого хватает, чтобы началcя локальный пробой — и прибор гибнет от одной-единственной частицы. Явление опаснее накопительной дозы, потому что происходит мгновенно и непредсказуемо.

Как приборы делают стойкими

Тонкий и чистый подзатворный окисел. Чем он тоньше, тем меньше в нём накопится заряда — зависимость примерно квадратичная. Технология выращивания подбирается так, чтобы ловушек было как можно меньше.

Снижение рабочего напряжения относительно предельного. Против одиночных событий это основная мера: запас по напряжению уменьшает вероятность того, что след частицы разовьётся в пробой.

Отбор и испытания. Стойкость — параметр, который проверяют облучением партии, и это разрушающий контроль: испытанные приборы в аппаратуру не идут.

⚠️ Беспотенциальный фланец стоит упомянуть отдельно. У обычного силового прибора фланец электрически соединён со стоком, и на радиатор его ставят через слюдяную или керамическую прокладку. Прокладка добавляет тепловое сопротивление, нередко сравнимое с сопротивлением самого прибора, и является слабым местом по пробою. Изолированный фланец снимает обе проблемы сразу: прибор крепится прямо к радиатору, тепловой контакт наилучший, а изоляция обеспечена внутри корпуса керамикой с хорошей теплопроводностью.

⚠️ Что это меняет при ремонте: радиатор такого прибора не находится под потенциалом стока, и трогать его под напряжением безопаснее. Но проверять это надо прозвонкой, а не по внешнему виду — корпуса обоих исполнений похожи.

Описание и применение

Транзисторы 2П7160А2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом. Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения. Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами. Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Технические характеристики

Обозначение2П7160А2

Внешний вид

2П7160А2

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»