Транзисторы П416А германиевые сплавные p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
П416А
Зарубежный аналог
2N604
Средняя ступень серии
П416А стоит между безбуквенным прибором и П416Б по всем трём частотно-усилительным графам сразу. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала — от 60 до 125 в режиме 5 В на коллекторном переходе и 5 мА эмиттерного тока, на частоте 50...1000 Гц. Граничная частота не ниже 60 МГц, а модуль коэффициента передачи на рабочей частоте 20 МГц гарантирован не менее трёх. Это германиевый диффузионно-сплавной прибор структуры p-n-p, универсальный маломощный, в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами массой до 2,2 г.
Ключевой режим: лучше насыщение, легче раскачка
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 1,7 В в режиме 50 мА коллектора при 3 мА базы — на три десятых вольта меньше, чем у безбуквенного исполнения; такую же норму имеет П416Б. Время рассасывания укладывается в 1 мкс уже при токе базы 2 мА, тогда как младшему прибору для того же результата нужны 4 мА. Разница прямо вытекает из усиления: чем больше коэффициент передачи, тем меньшим током базы вводится транзистор в насыщение. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 0,5 В.
Чем буква проигрывает
Граничное напряжение коллектор-эмиттер на горячем приборе (343 К, ток эмиттера 10 мА) нормировано величиной не менее 10 В — на три вольта ниже, чем у П416. При 298 К оба исполнения дают одинаковые 14 В, так что расхождение проявляется только на горячем приборе. Предельные режимы буква не меняет: 25 мА постоянного тока коллектора и 120 мА импульсного при длительности до 5 мкс; допустимое напряжение коллектор-эмиттер 15 В с закороченным входом, 20 В у запертого прибора, 12 В при сопротивлении в базе до 1 кОм; напряжение эмиттер-база 3 В; рассеиваемая мощность 100 мВт, импульсная 360 мВт.
Высокочастотные и температурные свойства
Ёмкость коллекторного перехода не более 8 пФ, эмиттерного — не более 40 пФ, постоянная времени цепи обратной связи не более 500 пс; эти три числа для всей серии одинаковы и определяют её пригодность до нескольких десятков мегагерц. Обратный ток коллектора не превышает 3 мкА при 10 В в интервале от 213 до 298 К, 5 мкА при 15 В и 90 мкА при 343 К; по эмиттерному переходу при 2 В нормировано не более 100 мкА. Ни одно из перечисленных чисел буква не меняет: всё расхождение между исполнениями сводится к усилению, граничной частоте и току, которым прибор вводят в насыщение.
Паспортные параметры П416А
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала; Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f=50...1000 Гц, Т=298 К), -
60...125
Граничная частота fгр (fмакс), не менее, МГц
60
|h21э| — модуль коэффициента передачи тока при f=20 МГц (Uкб=5 В, Iэ=5 мА), не менее, -
3
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=50 мА, Iб=3 мА), не более, В
1,7
Граничное напряжение Uкэ гр (Iэ=10 мА) при Т=343 К, не менее, В
10
Граничное напряжение Uкэ гр (Iэ=10 мА) при Т=298 К, не менее, В
14
Постоянный ток коллектора, макс., мА
25
Импульсный ток коллектора (ти<=5 мкс, Iк.ср<=25 мА), макс., мА
120
Uкэ макс при Rбэ=0 (короткозамкнутые эмиттер и база), В
15
Uкэ макс запертого транзистора (Uкэх), В
20
Uкэ макс при Rбэ<=1 кОм (Uкэr), В
12
Uэб макс (при Iэбо<=2 мА), В
3
Постоянная рассеиваемая мощность, мВт
100
Импульсная рассеиваемая мощность (ти<=5 мкс), мВт
360
Обратный ток коллектора при Uкб=15 В, не более, мкА
5
Обратный ток коллектора при Uкб=10 В, Т=298 К и 213 К, не более, мкА
3
Обратный ток коллектора при Uкб=10 В, Т=343 К, не более, мкА
90
Обратный ток эмиттера (Uэб=2 В), не более, мкА
100
Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=10 мА, Iб=1 мА), не более, В
0,5
Ёмкость коллекторного перехода (Uкб=5 В, f=5 МГц), не более, пФ
8
Ёмкость эмиттерного перехода (Uэб=1 В, f=5 МГц), не более, пФ
40
Постоянная времени цепи обратной связи (Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f=5 МГц), не более, пс
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала; Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f=50...1000 Гц, Т=298 К), -
25...80
60...125
90...200
Граничная частота fгр (fмакс), не менее, МГц
40
60
80
|h21э| — модуль коэффициента передачи тока при f=20 МГц (Uкб=5 В, Iэ=5 мА), не менее, -
2
3
4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=50 мА, Iб=3 мА), не более, В
2
1,7
1,7
Граничное напряжение Uкэ гр (Iэ=10 мА) при Т=343 К, не менее, В
13
10
10
Время рассасывания, не более, мкс
1 (при Iб=4 мА)
1 (при Iб=2 мА)
1 (при Iб=1,25 мА)
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
zamyatin-1991 табл.3
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 301, 302
Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 301, 302
Горюнов Н. Н. (ред.). Справочник по полупроводниковым приборам и интегральным схемам. — М.: Энергия, 1982, с. 299-300
Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.
h21э — две разные нормы. 25...80 / 60...125 / 90...200 (Аронов-1985 с.301 — прочитано глазами; МРБ-1144-1988 с.63 — глазами; Замятин-1991 табл.3; МРБ-1002-1980 №120-122) против 20...80 / 60...125 / 90...250 (Горюнов-1976 с.301 — прочитано глазами; МРБ-1002-1980 №117-119). Обе прочитаны глазами со сканов, обе реальны: в МРБ-1002 эти строки стоят рядом (№117-119 без звёздочки и №120-122 со звёздочкой). Для карточки серии беру 25...80 / 60...125 / 90...200 — эта норма подтверждена четырьмя книгами, включая самые поздние (1985, 1988, 1991). ПРОВЕРЕНО НЕЗАВИСИМО 02.09.2026 по книгам, которых не было у автора: сборник «Полупроводниковые приборы. Транзисторы» 1982 г. с.299 (рендер 400 dpi, глазами) даёт 25−80 / 60−125 / 90−200, то есть ту же норму, что Аронов-1985 и МРБ-1144. Конкурирующую норму независимо подтверждает МРБ-1154/Нефедов: 20…80 / 60…120 / 90…250. Обе нормы реальны, выбор основной остаётся верным.
Граничное напряжение Uкэ гр при 298 К. 14 В (Аронов-1985 с.302 глазами; МРБ-1002 №120-122) против 12,5 В (Горюнов-1976 с.301 глазами; МРБ-1002 №117-119). Расхождение идёт тем же швом, что и h21э — это два исполнения/две редакции ТУ.
Напряжение насыщения база-эмиттер. 0,5 В (Аронов-1985 глазами, Замятин-1991) против 0,7 В (Горюнов-1976 с.301 глазами).
Обратный ток эмиттера при Uэб=2 В. 100 мкА (Аронов-1985 глазами, Замятин-1991) против 150 мкА (Горюнов-1976 с.301 глазами).
Диапазон рабочих температур. МРБ-1144-1988 с.62: Тп макс 85 C, Тк макс 70 C; МРБ-0879-1975 и МРБ-1002-1980: -60...+70 C. Горюнов-1976 с.302: от -55 до +60 C (со снижением предельных режимов от +45 C). Не свожу.
Литеры В, Г у П416. Не существуют — ни одного вхождения П416В/П416Г во всём корпусе (41 PDF + 93 текстовых файла). НЕЗАВИСИМАЯ ПРОВЕРКА ОГЛАВЛЕНИЙ 02.09.2026 (оглавление набирается крупно и распознаётся надёжнее таблиц). Сверено ЧЕТЫРЕ списка литер из разных изданий: оглавление Аронова-1985 — «П416, П416 (А, Б)»; оглавление сборника 1982 г. — «П416, П416 (А, Б)»; алфавитный указатель МРБ-1144 с.268 — «П416, П416А, П416Б»; МРБ-0638 (1968) — «П416, П416А, П416Б». Строгий поиск по корпусу: 133 вхождения П416А, 114 вхождений П416Б, НОЛЬ П416В и П416Г.
