2Т665Б9 — транзистор

Эпитаксиально-планарный универсальный транзистор

2Т665Б9 — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n, универсальный. Планарный прибор того же назначения — 2Т630Б9.

h-параметры: что за буквы в паспорте

Малосигнальные свойства транзистора описывают четырьмя величинами, называемыми h-параметрами. Индекс «э» означает схему с общим эмиттером.

h11э — входное сопротивление, ом. Сколько «весит» вход каскада для предыдущего.

h21э — коэффициент передачи тока. Тот самый, по которому делят на буквенные группы.

h12э — коэффициент обратной связи по напряжению: насколько выходное напряжение влияет на вход. Величина крошечная, но именно она делает каскад не односторонним и порождает склонность к самовозбуждению.

h22э — выходная проводимость. Обратная ей величина — выходное сопротивление каскада, и оно ограничивает достижимое усиление.

Почему именно h, а не что-нибудь другое

Транзистор как четырёхполюсник можно описать разными системами параметров, и h-система победила по чисто практической причине: её величины проще всего измерить.

Два из четырёх параметров измеряются при коротком замыкании выхода по переменному току (легко — конденсатором), два других при холостом ходе входа. На биполярном транзисторе с его низким входным и высоким выходным сопротивлением оба этих условия создаются просто.

⚠️ Ограничение системы то же, что у любых малосигнальных величин: они справедливы только в окрестности рабочей точки и только для малых сигналов. Для расчёта ключевого режима или мощного каскада h-параметры бесполезны — там работают предельные величины и характеристики целиком.

Описание и применение

Транзисторы 2Т665Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в составе герметизированной аппаратуры специального назначения.

Технические характеристики

Внешний вид

Все исполнения серии: КТ665