Транзисторные матрицы 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
1НТ251А
Корпус
401.14-6
Отличие от базового исполнения — в скорости
1НТ251А повторяет базовую матрицу во всём, кроме одной графы. Время рассасывания при токе коллектора 150 мА и базовом 15 мА нормировано вдвое мягче: не более 200 нс, типовое 120 против 65 у 1НТ251. Это худшее значение в серии, его литера делит с 1НТ251А1 и К1НТ251. Остальная статика исходному прибору идентична, поэтому при замене «на скорость» смотреть надо именно в эту строку.
Что осталось прежним
Вилка усиления та же, что у старшей группы, — 30…150 при типовом 45, снятая на 5 В и 200 мА. Открытое состояние тоже описано без послаблений: коллектор садится не выше чем на 1 В, эмиттер — на 1,5 В, типовые же значения заметно ниже норм, 0,7 и 1,1 В. Режим измерения обоих — 400 мА через коллектор при 80 мА управления. Частотная граница остаётся на уровне 200 МГц, типично 450 МГц.
Тепловые границы и утечки
Переход нельзя нагревать выше +150 °C, среду — выше +125 °C, и связывает эти два числа тепловое сопротивление 218 °C/Вт. Мощность в таблице отнесена сразу ко всему набору из четырёх приборов: 0,4 Вт до +60 °C, 0,1 Вт на верхней границе, а в импульсном режиме соответственно 10 и 2,5 Вт. Утечки скромные: по коллектору при 45 В — 6 мкА в комнате и 30 мкА в жаре, по эмиттерному переходу при 4 В — 10 мкА. Ёмкости переходов оговорены на 10 В и на нуле: 15 и 50 пФ по норме, 8 и 30 пФ типично.
Допустимые напряжения
Предел по коллектору не постоянен, он падает с нагревом: пока переход холоднее +100 °C, разрешено 45 В, у самой границы +150 °C остаётся 22 В; шунтирующее сопротивление эмиттер—база при этом не должно превышать 1 кОм. Короткие импульсы до 10 мкс со скважностью от двух смягчают требование до 60, 40 и 30 В на тех же трёх температурах. Эмиттер терпит 4 В постоянного смещения и 6 В импульсного. Ток через коллектор ограничен 400 мА, а в импульсе вдвое большим значением. Корпус — металлокерамика на четырнадцать выводов, вес не более 0,4 г.
Паспортные параметры 1НТ251А
Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более, нс
200 (типовое 120)
Uкэ нас при Iк = 400 мА, Iб = 80 мА, не более, В
1 (типовое 0,7)
Uэб нас при Iк = 400 мА, Iб = 80 мА, не более, В
1,5 (типовое 1,1)
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 5 В, Iк = 200 мА, -
30...150 (типовое 45)
Uкб макс = Uкэ макс при Rэб <= 1 кОм, В
45 (при Tп <= +100 °C); 22 (при Tп = +150 °C)
Uкэ имп макс при tи <= 10 мкс, Q >= 2, В
60 (Tп <= +100 °C); 40 (+125 °C); 30 (+150 °C)
Uэб макс (постоянное), В
4
Uэб имп макс при tи <= 10 мкс, Q >= 2, В
6
Iк макс (постоянный ток коллектора), мА
400
Iк имп макс при tи <= 10 мкс, мА
800
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность коллектора, суммарная по сборке), Вт
0,4 (при T <= +60 °C); 0,1 (при +125 °C)
Pк имп макс, Вт
10 (при T <= +60 °C); 2,5 (при +125 °C)
Iкбо (обратный ток коллектора) при Uкб = 45 В, не более, мкА
6 (при +25 °C); 30 (при +125 °C)
Iэбо (обратный ток эмиттера) при Uэб = 4 В, не более, мкА
10
Cк (ёмкость коллекторного перехода) при Uкб = 10 В, не более, пФ
15 (типовое 8)
Cэ (ёмкость эмиттерного перехода) при Uэб = 0, не более, пФ
50 (типовое 30)
Rт переход-среда, °C/Вт
218
Tп макс (максимальная температура p-n перехода), °C
+150
Tокр макс (верхняя граница диапазона рабочих температур), °C
+125
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока) при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее, МГц
200 (типовое 450)
Чем 1НТ251А отличается от других исполнений
Параметр
1НТ251
А
А1
К
Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более, нс
100 (типовое 65)
200 (типовое 120)
200 (типовое 120)
200 (типовое 120)
Uкэ нас при Iк = 400 мА, Iб = 80 мА, не более, В
1 (типовое 0,7)
1 (типовое 0,7)
1 (типовое 0,7)
2
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 5 В, Iк = 200 мА, -
30...150 (типовое 45)
30...150 (типовое 45)
30...150 (типовое 45)
не менее 10
Uкб макс = Uкэ макс при Rэб <= 1 кОм, В
45 (при Tп <= +100 °C); 22 (при Tп = +150 °C)
45 (при Tп <= +100 °C); 22 (при Tп = +150 °C)
45 (при Tп <= +100 °C); 22 (при Tп = +150 °C)
45
Uкэ имп макс при tи <= 10 мкс, Q >= 2, В
60 (Tп <= +100 °C); 40 (+125 °C); 30 (+150 °C)
60 (Tп <= +100 °C); 40 (+125 °C); 30 (+150 °C)
60 (Tп <= +100 °C); 40 (+125 °C); 30 (+150 °C)
60
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность коллектора, суммарная по сборке), Вт
0,4 (при T <= +60 °C); 0,1 (при +125 °C)
0,4 (при T <= +60 °C); 0,1 (при +125 °C)
0,4 (при T <= +60 °C); 0,1 (при +125 °C)
0,4 (при T <= +60 °C); 0,16 (при +85 °C)
Tп макс (максимальная температура p-n перехода), °C
+150
+150
+150
+120
Tокр макс (верхняя граница диапазона рабочих температур), °C
+125
+125
—
+85
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока) при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее, МГц
200 (типовое 450)
200 (типовое 450)
200 (типовое 450)
200
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 766-767
Зайцев А. А., Миркин А. И., Мокряков В. В. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 272, 273
