Транзисторы 2Т316Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.