Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2Т316Д — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы 2Т316Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В). Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.

Технические характеристики

Обозначение2Т316Д
Зарубежный аналог2N709A

Паспортные параметры 2Т316Д

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C60…300
Статический коэффициент передачи тока при −60 °C30…300
Статический коэффициент передачи тока при +125 °C60…600
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц800
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 10 МГц, не более, пс150
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее, В5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В1,1
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +25 °C, не более, мкА0,5
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +125 °C, не более, мкА5
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В и +25 °C, не более, мкА1
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более, пФ3
Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более, пФ2,5
Предельное постоянное напряжение коллектор-база, В10
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 3 кОм, В10
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база, В4
Предельный постоянный ток коллектора и эмиттера, мА30
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре до +75 °C, мВт150

Чем 2Т316Д отличается от других исполнений

ПараметрАБВГД
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C20…6040…12040…12020…10060…300
Статический коэффициент передачи тока при −60 °C10…6020…12020…12010…10030…300
Статический коэффициент передачи тока при +125 °C20…12040…24040…24020…20060…600
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц600800800600800

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 321
  • Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 168

Внешний вид

2Т316Д

Все исполнения серии: КТ316

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»