Описание и применение
Транзисторы МП10Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Наибольшее усиление в типе
МП10Б — единственное исполнение своего типа с повышенным коэффициентом передачи тока: 25—50 при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА и частоте 1 кГц, тогда как МП10 и МП10А нормируются на 15—30. Допустимые напряжения у него такие же, как у литеры А: по 30 В на каждом из трёх переходов. Постоянный ток коллектора и мощность рассеяния при этом не изменились.
Утечка — худшая графа исполнения
Обратный ток при +20 °C нормируется величиной 50 мкА, измерение при 30 В, против 30 мкА у обоих остальных исполнений. Это прямая плата за более высокий коэффициент передачи, и в схемах с высокоомным делителем смещения разница чувствительна: ток утечки складывается с током базы и сдвигает рабочую точку. При комнатной температуре разница кажется небольшой, но с нагревом она растёт, а нормируется только для +20 °C.
Остальные предельные величины
Постоянный ток коллектора 20 мА, импульсный, в режиме насыщения, 150 мА, мощность рассеяния 150 мВт при температуре до +55 °C. Ёмкость коллекторного перехода до 60 пФ, предельная частота коэффициента передачи тока от 1 МГц, тепловое сопротивление переход—среда 200. Диапазон рабочих температур среды от −60 до +70 °C.
Практический вывод
При выборе между тремя исполнениями типа картина простая: базовое годится там, где хватает 15 В, литера А даёт запас по напряжению без ухудшения утечки, литера Б — усиление в обмен на утечку. Отдельной строки для предельной температуры перехода в таблице этого типа нет. Числа приведены по печатным справочникам, расхождений между изданиями они не дали.
Паспортные параметры МП10Б
Чем МП10Б отличается от других исполнений
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
- rcl-radio.ru (вторичный веб-источник)
- rudatasheet.ru (вторичный веб-источник)
- Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 38, 39
- Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 40, 41
- Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988, с. 47
- Массовая радиобиблиотека, вып. 1190. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры: диоды, транзисторы, с. 42
- Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968
- Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам
Внешний вид