Старшая по напряжению буква серии
КТ645А — биполярный транзистор структуры n-p-n, одно из двух буквенных исполнений серии КТ645. Буквы разводят здесь шесть строк таблицы, и по обеим напряженческим эта буква идёт первой: коллектор-база выдерживает 60 В против сорока у второго исполнения, а в столбце Uкэ при сопротивлении 1 кОм в базовой цепи нормировано 50 В против сорока. Ради этого запаса букву А обычно и выбирают.
Три из оставшихся четырёх играют против неё. Коэффициент передачи тока задан вилкой 20-200 при токе коллектора 150 мА — нижний край вчетверо ниже, чем у соседней буквы. Обратное напряжение эмиттер-база ограничено 4 В, тогда как КТ645Б допускает пять. Напряжение насыщения нормировано величиной 0,5 В.
Вилка усиления в десять крат
Окно 20-200 — это десятикратный разброс внутри одной буквы. Снят он при коллекторном токе 150 мА, то есть в половине от предельного постоянного значения, а не в малосигнальном режиме. Базовую цепь считают по нижнему числу: если каскад выходит в нужную точку только при передаче сто, до этой точки дойдёт не всякий экземпляр.
Верхняя граница мешает с другой стороны. Прибор с передачей около двухсот при том же токе базы уходит в насыщение глубже, и заряд оттуда рассасывается дольше. Паспортные 50 нс времени рассасывания относятся к оговоренному режиму, а не к произвольно перекачанной базе.
Насыщение измерено на большом токе
Величина 0,5 В снята там, где через коллектор идёт 150 мА, а в базу подано 15 мА — вдесятеро меньше. У второй буквы в этой же строке стоит 0,05 В, но её условие — десять миллиампер коллекторного тока, причём базовый ток в таблице не проставлен вовсе. Напрямую два числа не сравнить: режимы различаются в пятнадцать раз по току.
Отсюда практический вывод для ключевого каскада. Если нагрузка забирает сотню-полторы сотни миллиампер, паспортную цифру даёт именно это исполнение — оно в таком режиме и нормировано. Поведение КТ645Б на подобном токе таблица не описывает.
Общесерийная часть и подстановка
Не зависящие от буквы графы у обоих исполнений совпадают: граничная частота 400 МГц, ёмкость коллекторного перехода 5 пФ при 10 В, эмиттерного — 50 пФ при нулевом смещении, произведение Rб·Cк равно 120 пс, мощность на коллекторе 0,5 Вт. Предельный постоянный ток коллектора — 0,3 А, а в графе Iк нас у этой буквы записано 0,6 А.
Поставить КТ645Б вместо КТ645А допустимо там, где питание не выходит за сорок вольт: усиление у него выше, остаточное напряжение на малом токе меньше. Выше этой планки замена запрещена — обе напряженческие графы у соседней буквы ниже. Обратный порядок по напряжению безопасен всегда, зато гарантированный минимум передачи тока проседает с восьмидесяти до двадцати, и расчёт базового резистора приходится переделывать. Оба столбца значений сведены на странице серии КТ645.
Технические характеристики
| Обозначение | КТ645А |
| Структура | n-p-n |
| h21э: B1-B2 / Iк | 20-200/150 |
| fгр, МГц | 400 |
| Cк / Uк, пФ/В | 5/10 |
| Cэ / Uэб, пФ/В | 50/0 |
| Rб·Cк, пс | 120 |
| tрас, нс | 50 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 0.5(150/15) |
| Uкб max, В | 60 |
| Uкэ / R | 50/1к |
| Uэб max, В | 4 |
| Iк max / Iк нас | 0.3/0.6 |
| Pк / Pт, Вт | 0.5/ |
Исполнения серии КТ645
| Исполнение | h21э: B1-B2 / Iк | Uкб max, В | Uкэ нас / (Iк/Iб) | Uкэ / R | Uэб max, В | Iк max / Iк нас |
| А | 20-200/150 | 60 | 0.5(150/15) | 50/1к | 4 | 0.3/0.6 |
| Б | 80-/150 | 40 | 0.05(10/) | 40/1к | 5 | 0.3/ |
Внешний вид
КТ645 — все исполнения серии