КТС3103А1 — транзистор

Транзисторная сборка для дифференциального каскада

КТС3103А1 — сборка из двух p-n-p усилительных высокочастотных маломощных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами, корпус 2101.8-1. Предназначена для дифференциальных усилительных каскадов. Матрица изолированных транзисторов той же природы — 2ТС622А1.

Почему дифференциальному каскаду нужна именно пара на одном кристалле

Дифференциальный каскад усиливает разность напряжений на двух входах. Чтобы это работало, плечи должны быть одинаковыми — а они одинаковыми не бывают.

Разница напряжений база-эмиттер двух транзисторов при одном и том же токе прямо складывается с полезным сигналом. Схема не может отличить рассогласование плеч от входного сигнала, и на выходе появляется напряжение смещения нуля.

У двух отдельных транзисторов из одной коробки разброс напряжения база-эмиттер составляет десятки милливольт. У пары на одном кристалле — единицы милливольт и меньше: переходы изготовлены одновременно, в одном процессе, рядом друг с другом.

Температурный дрейф — вот где выигрыш решающий

Постоянное смещение нуля можно скомпенсировать подстройкой. Дрейф скомпенсировать нельзя, и он связан с рассогласованием жёстким соотношением.

Правило, которое стоит запомнить: каждый милливольт начального рассогласования даёт примерно 3,3 мкВ/°C температурного дрейфа.

Считаем. Два отдельных транзистора с разбегом 30 мВ дадут дрейф около 100 мкВ на градус. Нагрев на сорок градусов — 4 мВ ухода на входе усилителя, который, может быть, и сигнал-то усиливает в единицы милливольт.

Пара на кристалле с рассогласованием 2 мВ даёт около 7 мкВ/°C — в четырнадцать раз меньше.

⚠️ Важно и то, что кристалл один по температуре. Даже идеально подобранные отдельные транзисторы, разнесённые по плате, живут при разных температурах: один ближе к радиатору, другой к краю. Разница в пять градусов между плечами даёт 10 мВ смещения — больше, чем любое начальное рассогласование.

⚠️ Поэтому подбор пары из россыпи почти не помогает: вы согласуете их при одной температуре и разойдётесь при любой другой. Именно это и делает сборку незаменимой, а не удобной.

Описание и применение

Транзисторные сборки КТС3103А1 состоящие из двух p-n-p усилительных высокочастотных маломощных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры общего назначения.

Технические характеристики

Внешний вид

Все исполнения серии: КТС3103