Описание и применение
Транзисторы 2Т643Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм.
Технические характеристики
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т643А2
