Транзисторы П302 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Технические характеристики
Обозначение
П302
Самый низковольтный прибор своей группы
П302 — кремниевый сплавной транзистор структуры p-n-p, мощный низкочастотный. В группе, которую справочник описывает единой статьёй вместе с П303, П303А и П304 (в издании 1985 года к ней отнесены также П306 и П306А), это самый низковольтный прибор и единственный, у кого рассеиваемая мощность нормирована в 7 Вт, а не в 10 Вт. Предельное напряжение задано тремя ступенями по температуре перехода: 30 В в области от 213 до 293 К, 35 В от 293 до 373 К и 18 В при 423 К. Одна и та же величина относится и к переходу коллектор-база, и к цепи коллектор-эмиттер при сопротивлении в базе не более 100 Ом. Постоянный ток коллектора — 0,5 А, ток базы — 0,2 А, масса прибора не превышает 10 г.
Усиление, частота и раскачка
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером нормирован снизу: не менее 10 при напряжении коллектор-база 10 В, токе эмиттера 120 мА и комнатной температуре. На морозе -60 °C гарантируется только 6, и это надо закладывать в расчёт смещения, если аппаратура работает вне отапливаемого помещения. Предельная частота коэффициента передачи тока — не менее 200 кГц при Uкб = 20 В и том же токе эмиттера; прибор целиком принадлежит звуковому диапазону и низкочастотным преобразователям. Входное напряжение при Uкб = 10 В и токе коллектора 300 мА не превышает 6 В.
Что делает с прибором нагрев
Обратный ток коллектора нормирован величиной не более 100 мкА при 35 В и +25 °C, а при 30 В и +120 °C — уже не более 1500 мкА, то есть предел вырастает в пятнадцать раз. По цепи коллектор-эмиттер справочные границы таковы: не более 1 мА при сопротивлении база-эмиттер 1 кОм, напряжении 40 В и комнатной температуре, и не более 6 мА при сопротивлении 100 Ом, 30 В и нагреве до +120 °C. Мощность тоже уходит: с теплоотводом при корпусе до 50 °C прибор берёт 7 Вт, без теплоотвода — 1 Вт, а при среде +120 °C остаётся 0,3 Вт.
Расчётные оговорки из справочника
Издание 1985 года сопровождает таблицу тремя правилами, без которых числа читаются неверно. Первое: при нагреве перехода выше 373 К допустимые напряжения коллектор-эмиттер и коллектор-база уменьшаются линейно, на десять процентов с каждыми десятью кельвинами. Второе: температура перехода считается как сумма температуры корпуса и произведения теплового сопротивления переход-корпус на рассеиваемую мощность; здесь это сопротивление равно 10 °C/Вт, а переход-среда — 100 °C/Вт при предельной температуре перехода 150 °C. Третье: выше 323 К допустимая мощность с теплоотводом равна (423 - Тк)/10 Вт, а без теплоотвода (423 - Т)/100 Вт. Рабочий диапазон среды — от -60 до +120 °C. Буквенных исполнений у прибора нет: обозначение П302А не подкреплено числами ни в одной просмотренной книге.
Паспортные параметры П302
Uкэ макс при Rбэ ≤ 100 Ом (он же Uкб макс) при температуре перехода 213…293 К (−60…+20 °C), В
30
Uкэ макс при Rбэ ≤ 100 Ом (он же Uкб макс) при температуре перехода 293…373 К (+20…+100 °C), В
35
Uкэ макс при Rбэ ≤ 100 Ом (он же Uкб макс) при температуре перехода 423 К (150 °C), В
18
Iк макс (постоянный ток коллектора), А
0,5
Iб макс (постоянный ток базы), А
0,2
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса ≤ 50 °C, Вт
7
Pк макс без теплоотвода, Вт
1
Pк макс без теплоотвода при температуре среды 120 °C, Вт
0,3
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 120 мА и +25 °C, не менее, —
10
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 120 мА и −60 °C, не менее, —
6
fгр (предельная частота коэффициента передачи тока) при Uкб = 20 В, Iэ = 120 мА, не менее, кГц
200
Uвх (входное напряжение) при Uкб = 10 В и Iк = 300 мА, не более, В
6
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 35 В и +25 °C, не более, мкА
100
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 30 В и +120 °C, не более, мкА
1500
Iкэ0 (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 1 кОм, Uкэ = 40 В и +25 °C, не более, мА
1
Iкэ0 (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 30 В и +120 °C, не более, мА
6
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Rт п-к (тепловое сопротивление переход-корпус), °C/Вт
10
Rт п-с (тепловое сопротивление переход-окружающая среда), °C/Вт
100
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60 … +120
Масса транзистора, не более, г
10
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — −18 В при +150 °C (глазами)
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — −30 В (глазами; там та же цифра отнесена к диапазону −60…+120 °C)
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — −35 В (глазами; там диапазон −20…+100 °C)
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — ≤0,1 мА при −35 В (глазами)
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — ≤1 мА при −40 В (глазами)
Мощные низкочастотные транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 548), с.25 — ≤6 мА при −30 В (глазами)
Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы (справочник под ред. Горюнова), 1976 г., с.372—373 (текстовый слой книги)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.530 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.531 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.531 (глазами; 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.532 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.532 (глазами; 298 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.532 (глазами; 323 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.532 (глазами; 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; 10 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; 100 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; 393 К; согласуется с напечатанной там же формулой (423 − Т)/100)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; 423 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; от 213 до 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.533 (глазами; при Т ≤ 323 К, то есть до +50 °C)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.165—167 (глазами, независимая перепроверка)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.94 (глазами)
