2П307Б — транзистор

Описание и применение

Транзисторы 2П307Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения.

Технические характеристики

Обозначение	2П307Б
Зарубежный аналог	2N4223

Паспортные параметры 2П307Б

Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	5…15
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В	5…10
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В	5
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В	2,5
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В	1…5
Электродвижущая сила шума при Uси = 10 В, Uзи = 0, не более, нВ/√Гц	2,5 (на частоте 100 кГц)
Коэффициент шума на частоте 400 МГц при Uси = 10 В, Iс = 5 мА, не более, дБ	6
Ток утечки затвора при Uзи = −10 В и +25 °C, не более, нА	1,0
Ток утечки затвора при Uзи = −10 В и +125 °C, не более, мкА	1,0
Ток утечки затвора при Uзи = −30 В, не более, мкА	10
Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ	5
Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ	1,5
Предельное напряжение сток-исток, В	25
Предельное напряжение затвор-сток и затвор-исток, В	30
Предельный ток стока, мА	30
Предельный ток затвора, мА	5
Рассеиваемая мощность при −60…+25 °C, мВт	250
Рассеиваемая мощность при +125 °C, мВт	50
Температура структуры, не более, °C	+140
Температура окружающей среды, °C	−60…+125
Масса транзистора, не более, г	0,5

Чем 2П307Б отличается от других исполнений

Параметр	А	Б	Г
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	3…9	5…15	8…24
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В	4…9	5…10	6…12
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В	4	5	6
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В	2	2,5	3
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В	0,5…3	1…5	1,5…6
Электродвижущая сила шума при Uси = 10 В, Uзи = 0, не более, нВ/√Гц	20 (на частоте 1 кГц)	2,5 (на частоте 100 кГц)	2,5 (на частоте 100 кГц)

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 845
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 332

Внешний вид

Все исполнения серии: КП307