Описание и применение
Транзисторы МП41А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Усиление выше в полтора с лишним раза
МП41А даёт коэффициент передачи тока 50—100 при +20 °C — обе границы вилки в полтора с лишним раза выше, чем у МП41 с его 30—60. Режим измерения общий: Uкб = 5 В, ток эмиттера 1 мА, частота 1 кГц. На морозе −40 °C нормируется 25—100, при +60 °C — 50—300. Такой размах верхней границы — сто при комнатной температуре и триста при шестидесяти градусах — типичен для германия и означает, что глубокая обратная связь здесь обязательна.
Предельные режимы не отличаются
Напряжения, токи и мощность у литеры А те же, что у бесбуквенного исполнения: 15 В постоянного коллекторного напряжения при 213…313 К, 10 В при 313…343 К, импульсно 20 и 15 В. Импульсный ток коллектора 150 мА, рассеиваемая мощность 150 мВт до 328 К и 75 мВт при +70 °C. Напряжение эмиттер-база отдельной строкой в этой таблице не вынесено.
Тепловые границы
Общее тепловое сопротивление 200, максимальная температура перехода 85 °C (358 К), диапазон рабочих температур среды от −60 до +70 °C. Полная мощность допустима лишь до 328 К — выше её приходится снижать вдвое, и это ограничение чаще оказывается решающим, чем токовое. Тепловое сопротивление и температура перехода у обеих литер одинаковы.
Обратные токи и частота
Ток закрытого коллекторного перехода при 5 В — не более 15 мкА при 293 К и не более 250 мкА при 333 К, эмиттерного — 30 мкА. Предельная частота коэффициента передачи тока не ниже 1 МГц, ёмкость коллекторного перехода до 60 пФ, объёмное сопротивление базы до 220 Ом. Данные восстановлены из печатных изданий и сверены между собой.
Паспортные параметры МП41А
Чем МП41А отличается от других исполнений
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
- rcl-radio.ru (вторичный веб-источник)
- rudatasheet.ru (вторичный веб-источник)
- Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 102-103
- Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 249-251
- Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979
- Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988
- Массовая радиобиблиотека, вып. 879. Транзисторы, 1975, с. 32-33
- Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам, с. 98
Внешний вид