КП912 — мощный кремниевый МДП-транзистор с N-каналом, разработанный для применения в импульсных ключевых схемах: преобразователях и стабилизаторах напряжения, широкополосных усилителях мощности и генераторах. Транзистор выполнен по вертикальной МДП-технологии (V-MOS), которая в 1970-1980-е годы стала основой нового класса мощной силовой электроники — в противовес биполярным транзисторам, которые при сопоставимых мощностях требовали значительного управляющего тока базы и были медленнее в переключении.
Главные достоинства КП912 вытекают из самой физики МДП-структуры с изолированным затвором: управление практически без потребления тока (затвор изолирован оксидом), высокая скорость коммутации (единицы — десятки наносекунд) и положительный температурный коэффициент сопротивления канала, что исключает тепловой разгон и упрощает параллельное включение нескольких приборов для увеличения коммутируемого тока. Рассеиваемая мощность — 40 Вт; максимальное напряжение сток-исток у варианта А достигает 100 В, у Б — 60 В. Входная ёмкость в 500 пФ типична для силовых МДП-транзисторов своего времени и требовала соответствующего драйвера затвора с низким выходным сопротивлением, зато проходная ёмкость (16 пФ) невелика, что положительно сказывается на устойчивости в высокочастотных каскадах.
Практически КП912 находил применение в импульсных источниках питания с рабочими частотами до нескольких сотен килогерц, в линейных усилителях мощности звуковой частоты (классы A/AB) — V-MOS-транзисторы ценились в аудиотехнике за линейность передаточной характеристики, — а также в силовых инверторах и DC-DC-преобразователях, там, где биполярный транзистор упирался в ограничения по времени рассасывания носителей. В радиоаппаратуре КП912 мог использоваться в выходных каскадах широкополосных усилителей. Два варианта исполнения различаются максимально допустимыми напряжениями: КП912А рассчитан на сети с более высоким напряжением питания (до 100 В), КП912Б при несколько меньшем напряжении обеспечивает чуть больший максимальный ток стока.
По функциональному назначению и параметрам КП912 наиболее близок к западному аналогу IRF640 (International Rectifier) — мощному N-канальному MOSFET с напряжением 200 В и током 18 А, хотя точное совпадение зависит от конкретного варианта и схемы применения. Транзистор выпускался в металлостеклянном корпусе с теплоотводящим фланцем, что обеспечивало эффективный отвод тепла при монтаже на радиатор. КП912 относится к поколению советских мощных МДП-транзисторов, ставших ответом на появление западных HEXFET- и SIPMOS-технологий; эти приборы были востребованы как в профессиональной аппаратуре, так и в радиолюбительских конструкциях усилителей и преобразователей 1980-х годов.
КП912 — полевой транзистор. Варианты: КП912А, КП912Б. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
