Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


КП504А,Б — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

КП504А и КП504Б — кремниевые n-канальные МДП-транзисторы с изолированным затвором в режиме обогащения (enhancement-mode MOSFET). Прибор относится к группе транзисторов средней мощности: рассеиваемая мощность 1 Вт, максимальный ток стока 0,25 А при допустимом напряжении сток-исток 240 В — высокое для такого класса, что и определяет главную область применения. Выпускается в компактном пластмассовом корпусе КТ-26 (международный аналог TO-92) с гибкими выводами.

Ключевая особенность КП504 — сочетание высокого допустимого напряжения с малым корпусом и умеренным током. Именно это делало его незаменимым в маломощных ключевых каскадах высоковольтных схем: источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом (питание непосредственно от сети через выпрямитель), импульсных преобразователях напряжения, регуляторах и стабилизаторах с непрерывно-импульсным управлением. В отличие от биполярных транзисторов, МДП-структура обеспечивает управление по напряжению при практически нулевом токе затвора, что упрощает схему драйвера. Крутизна характеристики 140 мА/В и сопротивление открытого канала 8-15 Ом позволяли получать достаточное усиление при умеренных управляющих напряжениях (пороговое напряжение затвора — 0,6-1,2 В). Встроенный обратный диод между стоком и истоком (body diode) — штатная особенность структуры — давал дополнительную защиту в индуктивных нагрузках без внешних элементов.

Транзисторы серии КП504 применялись прежде всего в блоках питания электронно-вычислительной техники, аппаратуре управления электродвигателями, схемах регулировки мощности и переключательных каскадах промышленной радиоэлектроники. Буквенный суффикс (А, Б) разграничивает приборы по разбросу параметров — прежде всего по крутизне и пороговому напряжению, что важно при типовом применении в прецизионных регуляторах. Западным функциональным аналогом считается BSS88 производства Siemens (линейка SIPMOS small-signal) — n-канальный MOSFET с близкими предельными режимами и корпусом TO-92, предназначавшийся для тех же классов схем.

КП504А,Б — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Электрические параметры

ПараметрКП504А,Б
Крутизна S1-S2 / I(U)140
Uзи max, В10
Uси max, В240
Iс max0.25
Pрас1.0
Проводимость / каналМДП

Зарубежные аналоги

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»