Описание и применение
КП503А — отечественный высоковольтный МДП-транзистор с n-каналом в режиме обеднения (depletion-mode MOSFET). Это означает принципиально важную особенность: прибор открыт при нулевом напряжении на затворе и закрывается отрицательным смещением — поведение, противоположное привычным транзисторам с каналом обогащения. Именно этим КП503А кардинально отличается от большинства применявшихся в то время полевых транзисторов серий КП301-КП304, где для открытия требовалось приложить управляющее напряжение. Сочетание высокого рабочего напряжения сток-исток (до 240 В) с малым токовым классом (150 мА) и рассеиваемой мощностью 1 Вт определяет нишу прибора: маломощная высоковольтная схемотехника.
Крутизна характеристики не менее 140 мА/В при сопротивлении открытого канала около 20 Ом — цифры, типичные для управляемых источников тока и линейных регуляторов. Нормально-открытый режим делает КП503А идеальным элементом для схем с пассивной безопасностью: токовых ограничителей, ограничителей пускового тока, защиты от перенапряжения. Одиночный транзистор в подобной роли вообще не требует дополнительной обвязки — канал сам поддерживает ток до тех пор, пока нарастающее падение напряжения на нём не запирает затвор через автоматическое смещение. Это один из немногих случаев в аналоговой схемотехнике, когда функциональный узел реализуется буквально одним компонентом.
В советской и постсоветской аппаратуре КП503А применялся там, где требовалось управление высоковольтными цепями при малых токах: схемы запуска импульсных источников питания, преобразователи напряжения, цепи опорного напряжения, узлы телекоммуникационного оборудования (абонентские линии), твердотельные реле и схемы коммутации в аппаратуре связи. Высокое входное сопротивление по затвору (сотни МОм) позволяло непосредственно сопрягать транзистор с высокоомными источниками сигнала без промежуточных каскадов согласования.
Зарубежный функциональный аналог — BSS129 (Siemens / Infineon), n-канальный depletion-mode MOSFET в корпусе TO-92 с идентичными предельными параметрами: 240 В, 150 мА, 20 Ом. Прибор разработан Siemens в рамках серии SIPMOS Small-Signal; сегодня выпускается Infineon (наследник Siemens Semiconductor), а также рядом других производителей — что подтверждает жизнеспособность схемотехнических решений, под которые разрабатывался КП503А.
КП503А — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | КП503А |
|---|
| Крутизна S1-S2 / I(U) | 140 |
| Uзи max, В | 20 |
| Uси max, В | 240 |
| Iс max | 0.15 |
| Pрас | 1.0/ |
| Проводимость / канал | МДП |
Зарубежные аналоги