Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


ГТ703 — биполярный транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Буква задаёт сразу две группировки, и они не совпадают

В ряду ГТ703 буквенный индекс отвечает за две независимые характеристики, и делят они серию по-разному. По статическому коэффициенту передачи тока h21э (при Uкэ = 1 В, Iэ = 50 мА и температуре 25 °C) приборы разбиты на три группы: ГТ703А и ГТ703В — 30—70, ГТ703Б и ГТ703Г — 50—100, ГТ703Д — 20—45. По допустимому постоянному напряжению коллектор-эмиттер при Rбэ = 50 Ом деление другое: ГТ703А и ГТ703Б рассчитаны на 20 В, ГТ703В и ГТ703Г — на 30 В, ГТ703Д — на 40 В.

Отсюда вывод: по группе усиления нельзя судить о запасе по напряжению и наоборот. ГТ703А и ГТ703В — одна вилка усиления при разном допустимом напряжении, ГТ703Б и ГТ703Г соотносятся так же. Особняком стоит ГТ703Д: самое низкое усиление в серии при самом большом запасе по напряжению.

Усиление на горячем приборе и импульсный режим

При нагреве до 55 °C коэффициент передачи тока растёт, причём только верхней границей вилки: у ГТ703А и ГТ703В диапазон становится 30—100, у ГТ703Б и ГТ703Г — 50—150, у ГТ703Д — 20—70. Нижняя граница не меняется ни у одного исполнения — на прогретом транзисторе усиление не провалится ниже холодной нормы, но разброс между экземплярами заметно шире.

В импульсном режиме (tи = 1 мс, скважность не менее 10, Rбэ = 50 Ом) допустимое напряжение коллектор-эмиттер выше постоянного: 25 В для ГТ703А и ГТ703Б, 35 В для ГТ703В и ГТ703Г, 50 В для ГТ703Д. Предельная частота усиления тока базы — не менее 10 кГц при Uкэ = 2 В и Iк = 0,5 А.

Насыщение и обратные токи

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 0,6 В при токе коллектора 3 А, напряжение насыщения база-эмиттер в том же режиме — не более 1,0 В. Ток базы при этом замере справочники задают по-разному: в одном — единое Iб = 0,225 А, в другом по исполнениям: 150 мА для ГТ703А и ГТ703В, 90 мА для ГТ703Б и ГТ703Г, 225 мА для ГТ703Д.

Обратный ток коллектора — не более 0,5 мА, и условия замера привязаны к классу по напряжению: Uкб = 20 В для ГТ703А и ГТ703Б, Uкб = 30 В для ГТ703В, ГТ703Г и ГТ703Д. Обратный ток эмиттера и коэффициент линейности в справочниках расходятся, поэтому здесь не приводятся.

Тепловой режим и предельные значения

Постоянный ток коллектора — 3,5 А. Рассеиваемая мощность коллектора 15 Вт с теплоотводом и 1,6 Вт без него; разницу задают тепловые сопротивления: переход-корпус 3 °C/Вт против переход-среда 30 °C/Вт.

Температура перехода ограничена 85 °C, диапазон температуры окружающей среды — от −40 до +55 °C, масса не более 15 г. Комплементарная пара к ГТ703 — германиевый транзистор структуры n-p-n ГТ705.

Описание и применение

ГТ703 — германиевый сплавной транзистор структуры p-n-p, относящийся к классу мощных низкочастотных усилительных приборов. По сути это классический «выходной» транзистор эпохи германия: коллекторный ток до 3,5 А, рассеиваемая мощность до 15 Вт при установке на теплоотвод и рабочее напряжение коллектор-эмиттер 20-40 В в зависимости от буквенного индекса (А…Д). Граничная частота у таких приборов — не менее 10 кГц (0,01 МГц) — это осознанно «медленный» силовой транзистор, заточенный под звуковой диапазон, а не под ВЧ. Разброс по коэффициенту передачи тока h21э (от 20-45 у ГТ703Д до 50-100 у ГТ703Б) как раз и разводит варианты по буквам: комплементарные пары и каскады подбирали именно по этому параметру.

Главное назначение ГТ703 — работа в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты (УНЧ). В начале 1970-х советская промышленность целенаправленно создавала линейку германиевых силовых транзисторов этого ряда (ГТ703, ГТ705) под двухтактные оконечные каскады звуковоспроизводящей аппаратуры — радиол, магнитофонов, ламповых и транзисторных усилителей, автомобильных и переносных приёмников. Низкое напряжение насыщения (не более 0,6 В) делало прибор пригодным и как силовой ключ — в стабилизаторах, коммутаторах и импульсных схемах, где важен малый остаточный «провал» на открытом транзисторе.

Конструктивно прибор выпускался в металлическом герметичном корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами, с монтажным фланцем под крепление к радиатору (масса около 15 г). Тепловое сопротивление переход-корпус всего 3 °C/Вт — то есть транзистор рассчитан на тесный тепловой контакт с шасси или радиатором, без которого паспортные 15 Вт недостижимы (без теплоотвода допустимо лишь 1,6 Вт). Предельная температура перехода — умеренные 85 °C, что типично для германия и требует аккуратного теплового режима: перегретый германиевый переход деградирует куда быстрее кремниевого.

Как и вся германиевая силовая элементная база, ГТ703 со временем был вытеснен кремнием. Кремниевый аналог по структуре (p-n-p) и монтажу — КТ818ГМ в металлостеклянном корпусе КТ-9: расположение выводов и монтажных отверстий фланца совпадает, что позволяло менять транзистор без переразводки платы. Однако прямая замена германия кремнием требует корректировки цепей смещения: напряжение открывания кремниевого перехода (~0,6 В) существенно выше германиевого (~0,2 В), из-за чего схемы, рассчитанные на ГТ703, при замене на КТ818 могут давать искажения без доработки. При этом среди аудиофилов ГТ703 сохраняет культовый статус: германиевые оконечники ценят за характерное «мягкое» звучание и малое напряжение открывания перехода, поэтому старые запасы этих транзисторов до сих пор охотно ставят в ретро- и hi-fi-самоделки — своеобразный «германиевый ренессанс».

ГТ703 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка ГТ703

Электрические параметры

ПараметрГТ703АГТ703БГТ703ВГТ703ГГТ703Д
Структураp-n-pp-n-pp-n-pp-n-pp-n-p
h21э: B1-B2 / Iк30-70/0.0550-100/0.0530-70/0.0550-100/0.0520-45/0.05
Uкэ нас / (Iк/Iб)0.6(3/0.2)0.6(3/0.2)0.6(3/0.2)0.6(3/0.2)0.6(3/0.2)
Uкэ / R20/5020/5030/5030/5040/50
Iк max / Iк нас3.5/3.5/3.5/3.5/3.5/
Pк / Pт, Вт1.6/151.6/151.6/151.6/151.6/15
Rт п-к, °C/Вт33333

Исполнения серии

ГТ703В

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»