2Т709 — кремниевый составной транзистор p-n-p структуры мощностью 30 Вт, разработанный для низкочастотных силовых и коммутационных применений в профессиональной и специальной аппаратуре. Префикс «2Т» в советской системе обозначений указывает на военную приёмку: компонент изготавливался по жёстким нормам отбора, рассчитан на работу в расширенном температурном диапазоне и отличается повышенной надёжностью по сравнению с гражданским аналогом КТ709. Конструктивно транзистор выпускался в двух вариантах корпуса: традиционном металлическом (КТ-8 / ТО-66) с жёсткими выводами и пластмассовом исполнении с суффиксом «2» (2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2) в корпусе КТ-28-2 (ТО-220), удобном для монтажа на радиатор через теплопроводящую прокладку.
Главная особенность 2Т709 — схема Дарлингтона, реализованная в одном корпусе. Два транзисторных перехода включены каскадно, благодаря чему статический коэффициент передачи тока h21э достигает 500 и выше для вариантов А/А2 и 750 и выше для вариантов Б, В и их плоских исполнений. Такое усиление по току практически недостижимо в одиночном биполярном транзисторе и позволяет управлять током коллектора до 10 А (кратковременно до 20 А) буквально от логических или маломощных управляющих цепей без промежуточных каскадов усиления. Оборотная сторона схемы Дарлингтона — высокая ёмкость переходов (коллекторная до 250 пФ, эмиттерная до 1000 пФ в версиях «2») и граничная частота всего 3 МГц: транзистор строго низкочастотный.
Типовые области применения определяются сочетанием высокого тока, высокого напряжения (до 100 В по вариантам «А») и огромного коэффициента усиления: выходные каскады усилителей мощности НЧ, линейные стабилизаторы напряжения с малым напряжением управления, схемы управления электродвигателями и реле, силовые ключи в промышленной и специальной аппаратуре. Транзистор встречался в блоках питания, измерительных приборах и системах управления советского производства, где требовалось сочетание высокой мощности с высоким входным сопротивлением каскада. Буква в суффиксе делит серию по допустимому напряжению: «А» — 100 В, «Б» — 80 В, «В» — 60 В, что позволяло подбирать компонент точно под схему без запаса по цене.
Западным функциональным аналогом по классу (p-n-p, Дарлингтон, мощный НЧ) служат такие транзисторы, как BDX54, TIP147 и семейство MJ серии (MJ2955 — ближайший одиночный p-n-p той же мощности, хотя и не составной). Советское военное исполнение традиционно означало применение золотосодержащих материалов — отсюда характерный «золотой» оттенок и интерес к 2Т709 у скупщиков радиодеталей. Сегодня транзистор встречается преимущественно на вторичном рынке; в новых разработках его нишу занимают современные Дарлингтон-сборки и MOSFET с драйверами, однако 2Т709 по-прежнему ценится в ремонтной практике советской техники как прямой оригинальный компонент.
2Т709 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
