2Т3152 — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры p-n-p, созданный для применения в аппаратуре специального назначения. Приставка «2Т» в советской классификации указывает на военную приёмку: прибор изготавливался по ужесточённым требованиям к надёжности и предназначался для радиоэлектронного оборудования оборонного и авиационно-космического применения. По классу это маломощный ВЧ-транзистор — рассеиваемая мощность 200 мВт, максимальный коллекторный ток 150 мА, граничная частота коэффициента передачи тока 50 МГц. Размещается в малогабаритном металлостеклянном корпусе с гибкими выводами типа КТ-1 (TO-18).
Транзистор выпускался в шести вариантах исполнения (А-Е), разделённых по двум параметрам: допустимому напряжению коллектор-база (30, 40 или 50 В) и максимально допустимому обратному напряжению эмиттер-база (20 В для вариантов А/Б/В и 5 В для Г/Д/Е). Последнее различие принципиально важно при схемотехнике с жёстким базовым смещением — варианты Г/Д/Е здесь требуют особой аккуратности. Коэффициент передачи тока h21э перекрывает широкий диапазон 80-400 (у Г/Д/Е стартует с 100), что типично для приборов, отбираемых под конкретные значения усиления при военной сдаче партий. Низкое насыщение коллектор-эмиттер (0,3 В при Iк/Iб = 300/60 мА) делает транзистор пригодным и для ключевых схем, хотя время рассасывания 400 нс ограничивает скорость переключения умеренными значениями.
Типовая область применения — усилительные и ключевые каскады в источниках вторичного электропитания и преобразователях специальной аппаратуры: бортовой электроники, измерительных систем, связного оборудования. Частота 50 МГц достаточна для работы в низко- и среднечастотном диапазоне, включая видеотракты и схемы управления импульсными источниками питания тех лет. В гражданской технике аналогичные по структуре и габаритам p-n-p транзисторы (например, КТ3152) встречались значительно реже — массовым «народным» p-n-p прибором в корпусе TO-18 был скорее КТ361, тогда как 2Т3152 с его широкоразбросанным усилением и многовариантностью по напряжению — типичный продукт оборонной кооперации, рассчитанный на точный отбор под ТТЗ.
В качестве зарубежного функционального ориентира для ряда вариантов упоминается BF423C (ON Semiconductor / Philips) — кремниевый p-n-p транзистор в пластиковом корпусе TO-92. Прямая замена требует сверки по напряжению и усилению: разброс h21э у 2Т3152 очень широкий, поэтому при замене критичны измеренные значения конкретного экземпляра, а не только буква исполнения.
2Т3152 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т3152А, 2Т3152Б, 2Т3152В, 2Т3152Г, 2Т3152Д, 2Т3152Е. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
