Описание и применение
ФДУ-113С — фотомикросхема (гибридная интегральная микросхема-фотоприёмник), разработанная и выпускаемая ООО «МЭРИ» на базе трансимпедансного усилителя TZA1033 фирмы Siemens и кремниевой p+-ν-n+ фотодиодной структуры ФДС-113 производства ООО «МЭРИ». Собрана в микроэлектронном гибридном исполнении.
Предназначена для использования в качестве приёмника в оптических линиях связи: преобразует принятый оптический сигнал в электрический с усилением по трансимпедансной схеме и дифференциальным выходом.
Основные преимущества: низкий уровень шума на входе (1 пА/Гц^1/2), широкий динамический диапазон входного тока от 0,25 мкА до 1,6 мА, дифференциальный трансимпеданс 44 кОм, широкая полоса пропускания 130 МГц, дифференциальный выход, однополярное питание от 3,0 до 5,5 В. Динамический диапазон АРУ — 79 дБ.
Технические характеристики
| Функция | Интегральный фотоприёмник для оптических линий связи (фотодиод + трансимпедансный усилитель с АРУ, дифференциальный выход) |
| Технология / исполнение | Гибридная микросхема; ТИУ TZA1033 (Siemens) + кремниевая p+-ν-n+ фотодиодная структура ФДС-113 |
| Напряжение питания (Vcc) | 3,0…5,5 В (однополярное; тип. 5 В), рабочие точки 3,3 В и 5 В |
| Ток потребления (Icc) | Vcc=5 В: тип. 38, макс. 60 мА; Vcc=3,3 В: тип. 35, макс. 50 мА (мин. 20 мА) |
| Потребляемая мощность (Ptot) | Vcc=5 В: тип. 190, макс. 330 мВт; Vcc=3,3 В: тип. 116, макс. 180 мВт (мин. 100/60 мВт) |
| Полоса пропускания | 130 МГц |
| Длительность фронта нарастания/спада (τ) | Rн=∞: 12/26 нс; Rн=50 Ом: 6/20 нс |
| Трансимпеданс | Дифференциальный 44 кОм; малосигнальный (Rtr): Rн=∞ тип. 90 макс. 112 кОм (мин. 42); Rн=50 Ом тип. 45 макс. 66 кОм (мин. 21) |
| Амплитуда выходного сигнала (Vo) | Дифференциальная мода, Vcc=5 В: тип. 200 мВ (мин. ~40); диапазон входного тока 0,25 мкА…1,6 мА |
| Напряжение смещения фотодиода (Vd) | тип. 40 В (мин. 5, макс. 112 В); измерения при λ=850 нм, Vd=40 В |
| АРУ | Динамический диапазон 79 дБ (вход. ток 0,25 мкА…1,0 мА, выход АРУ 4,65…4,17 В) |
| Шум входа | 1 пА/Гц^1/2 |
| Фотодиод: площадь фоточувств. области | 0,5 мм² |
| Фотодиод: спектральный диапазон | 400…1100 нм; максимум чувствительности 0,55 А/Вт при λ=830 нм |
| Фотодиод: темновой ток (Uсм=10 В) | тип. 0,02 / макс. 1 нА |
| Фотодиод: ёмкость p-n перехода (Uсм=0/10 В) | 2,5…4,0 / 0,7…1,4 пФ |
| Фотодиод: удельная обнаружительная способность | 2,2·10^13 см·Гц^1/2/Вт |
| Корпус | Стандартный 8-выводной металлический ТО-99; варианты входного окна: кварцевое стекло (350-1100 нм), прозрачный компаунд (400-1100 нм) или компаунд-фильтр (700-1100 нм) |
| Температура p-n перехода (Tj) | -40…+125 °C |
| Температура окружающей среды (Tamb) | -40…+85 °C |
| Аналог | Основа — ТИУ TZA1033 (Siemens) |
Техническая документация
