Производитель памяти SK Hynix планирует построить новый крупный завод в китайском городе Уси для наращивания выпуска микросхем DRAM и решения проблемы дефицита на мировом рынке.
SK Hynix объявила о намерении значительно увеличить объёмы выпуска памяти DRAM, заключив соответствующее соглашение с администрацией города Уси. Общий объём инвестиций в новый производственный комплекс составит 8,6 млрд долларов. По оценкам, новый завод сможет выпускать до 200 000 пластин в месяц, что позволит существенно нарастить производственные мощности компании.
Такое решение принято на фоне глобального дефицита памяти DRAM и роста цен на рынке. Компания следует примеру Samsung, которая также рассматривает увеличение объёмов производства к концу следующего года. Запуск нового завода потребует значительного времени, учитывая масштаб инвестиций и строительных работ.
Текущие производственные мощности в Уси
В городе Уси уже функционирует существующий завод SK Hynix, который ежемесячно производит 130 000 пластин. Этот объём составляет примерно половину всего мирового производства памяти DRAM компании, что подчёркивает стратегическую значимость региона для производителя.
Причины дефицита на рынке
Нехватка памяти DRAM на рынке обусловлена несколькими факторами. Крупные производители длительное время не стремились расширять мощности, так как рост цен на фоне дефицита оказывался для них выгоден. Однако изменение рыночной ситуации и растущий спрос на микросхемы памяти побудили лидеров индустрии пересмотреть свою стратегию и приступить к наращиванию производства.
