Китайский инвестиционный холдинг Tsinghua Unigroup привлёк стратегического партнёра для реализации масштабного проекта по производству микросхем памяти. Новый завод будет ориентирован на выпуск DRAM и 3D NAND флеша.
Компания Tsinghua Unigroup, работающая по модели государственно-частного партнёрства, подписала соглашение о стратегическом сотрудничестве с банком Нинкина. Это соглашение обеспечивает финансовую основу для начала строительства производственного комплекса стоимостью 30 млрд долларов, предназначенного для выпуска микросхем памяти DRAM и 3D NAND.
Производственные мощности
Завод будет вводиться в эксплуатацию двумя этапами. На первой очереди проектная производительность составляет 100 000 пластин в месяц. Вторая очередь удвоит этот показатель, обеспечивая общую производственную мощность 200 000 пластин в месяц.
Экономические показатели
Компания ожидает годовые продажи в размере 4,8 млрд долларов на первом этапе реализации проекта и 10 млрд долларов на втором этапе.
Инфраструктура и развитие
Помимо производственных мощностей, проект предусматривает создание специализированного городка для привлечения иностранных специалистов. На территории комплекса будут размещены жилые здания, объекты розничной торговли и услуг, образовательные учреждения, а также исследовательский центр для разработки новых технологий.
Стратегические амбиции
Инициатива входит в долгосрочную программу Tsinghua Unigroup, объявленную несколько лет назад. Компания намеревалась к 2020 году войти в число трёх крупнейших мировых производителей полупроводниковой продукции, укрепляя позицию Китая на глобальном рынке микроэлектроники.
