Непонятка с параметрами MOSFET транзисторов

[Yuri222]

Подбираю транзисторы для DC/DC преобразователя. Ток нужен ампер-два. Поэтому сопротивление канала открытого транзистора имеет относительно второстепенное значение.
Питание драйверов затворов - вольт 6 (т.е. на затворы будет подаваться упр. напряжение 0/6 вольт). Но в некоторых второстепенных режимах может проседать до 4В.

В прототипе применен FDS8447, но какой-то на него дикий ценник в ближней доступности.

Обратил внимание на AO4480, IRF7469, IRF7470, WMT07N06TS.
Но при внимательном изучении их параметров возникли сомнения в корректности даташитных данных, а именно - в Total Gate Charge.

Если IRF7469 и IRF7470 выглядят правдоподобно (при одинаковых условиях их емкости входная, затвор-сток и Total Gate Charge соотносятся как будто правдоподобно), то если сравнить с ними и с WMT07N06TS транзистор AO4480 (у него параметр Total Gate Charge выглядит наилучшим образом по даташиту) - то AO4480 меня настораживает.

При его вх. емкости Ciss=1600pF, затвор-сток Crss=100pF его Total Gate Charge Qg(10V)=22nC. (при импульсе на затворе амплитудой 10В)
У WMT07N06TS Qg(10V)=22nC , но у него Ciss=1350pF, а Crss=49pF!
Как такое может быть? Ну да, режимы измерения этих емкостей несколько отличаются (у AO4480 при напряжении сток-исток 20В, у WMT07N06TS - при 30В - но по графикам там разница должна быть незначительная).

Если считать, что с параметрами AO4480 производитель приврал, то для меня WMT07N06TS выглядит предпочтительнее.
При 4,5В импульсе не затворе у него заряд затвора по графику чуть хуже, чем у конкурента, но зато график Figure 8. Gate Charge Characteristics выглядит намного привлекательнее - плато Миллера сильно ниже , что при низком питании драйвера имхо довольно важно.

[zoog]

Я правильно понял, что Вам не нравится (гипотетическое) несоответствие емкостей и заряда? Ёмкости в ДШ не значат ничего и оставлены для совместимости, на работу транзистора они никак не влияют (см. внимательно условия их измерения). Сравнивать несущественные параметры ключей разных технологий разных фирм - это м.б. забавно, но делать из этого к-л выводы - ну хз, мож разве что Бордодынов сможет. Нам интересны практические цифры типа FOM и пока чистокровные китайцы с ними не обманывают афаик.

[Yuri222]

zoog, Да, Вы правильно поняли.
Я почти случайно задумался об этом - когда на сайте Компела задал в параметрическом поиске подобные полевики, и нашлись китайские с отличными параметрами.
Но при даже не очень внимательном взгляде в даташит обнаружил явные 146% косяки с зарядом затвора - было указано Total Gate Charge что-то около 10 нС, а при этом в соседней строке Qgd в разы больше, что явно указывает на недостоверность документации.

Насчет емкостей - там кроме цифр есть и графики, вроде бы как правдоподобные, сравнивал с более именитыми производителями. Тем более - зачем китайцам занижать (ухудшать) в доках параметры, если они в реальности были бы лучше.
ИМХО - кто-то что-то у них не так посчитал...

[zoog]

Но при даже не очень внимательном взгляде в даташит обнаружил явные 146% косяки с зарядом затвора - было указано Total Gate Charge что-то около 10 нС, а при этом в соседней строке Qgd в разы больше, что явно указывает на недостоверность документации.

Это и у арийских производителей бывает.. было бы круто, если сомнительные ДШ Вы выкладывали так же, найти-то тх не сложно, но именно конкретную версию - пф.

Насчет емкостей - там кроме цифр есть и графики, вроде бы как правдоподобные, сравнивал с более именитыми производителями.

Для сильно ВЧ и 2тактных применений актуальна Сo, но остальные-то Вам зачем?

[Yuri222]

но остальные-то Вам зачем?

та микра, которая планируется к применению, в одном режиме дает импульсы 80 наносек на затвор - так нужно, чтобы транзистор успел открыться, диод - зарядить конденсатор (а там еще резистор 10 Ом ограничивает ток), и потом - это должно успеть закрыться.
Если бы питание было не 6 вольт, а 10 - то и не парился бы этими цифрами особо.

[zoog]

в одном режиме дает импульсы 80 наносек на затвор - так нужно, чтобы транзистор успел открыться, диод - зарядить конденсатор (а там еще резистор 10 Ом ограничивает ток), и потом - это должно успеть закрыться.

Это всё считается через заряд. Ёмкости к рабочим режимам транзистора не применимы:

(см. внимательно условия их измерения)

[Yuri222]

Это всё считается через заряд

так вот указанный в ДШ заряд и вызывает сомнения.

см. внимательно условия их измерения

близко к планируемым рабочим условиям, и у тех транзисторов (из моего списка) - если не одинаковы, то в принципе близки.

[zoog]

ак вот указанный в ДШ заряд и вызывает сомнения.

В каком ДШ?(с)

близко к планируемым рабочим условиям,

[Yuri222]

В каком ДШ

да, извиняюсь, забыл его прикрепить
AO4480
Vgs будет изменяться от 0 до вольт 6-ти, Vds 24-25В.

Я к тому - что у других транзисторов при меньших емкостях (измеренных в одинаковых условиях - указаны в ДШ) заряд больше.

[zoog]

AO4480

А где там явно некорректные данные?

Я к тому - что у других транзисторов при меньших емкостях (измеренных в одинаковых условиях - указаны в ДШ) заряд больше.

Эти параметры связаны (не жёстко) только в пределах одной технологии/поколения.... Почему Вы, к примеру, крутизну не сравниваете?