Токовое зеркало.

[VladimirIvan]

Разрешите открыть страшную тайну! Ток коллектора непропорционален току базы!

[zoog]

zoog, Вы намеренно запрягаете телегу вперде лошади и приписываете это мне?

Пока нет насыщения - ток коллектора пропорционален току базы с коэффициентом пропорциональности Вст или примерно h21э. При коэффициенте насыщения больше единицы, во столько же раз снижается коэффициент пропорциональности.

Что Вы здесь делаете, как не определяете насыщение с помощью Кнас?

[akegor]

Что Вы здесь делаете

Совсем не то, что Вам хочется мне приписать. Я говорю для "человеков разумных", а не для желающего посраться.
Продолжайте "сам-на-сам".

[Yuri222]

zoog, да возьмите источник питания, резистор и транзистор. Максимальный ток коллектора ограничен резистором. На грани насыщения падение напряжения на транзисторе практически минимальное. Дальше с увеличением тока базы оно практически не падает, что и наблюдаем по току коллектора - он зафиксирован внешними цепями (резистором). Независимо от изменяющегося коэфф-та усиления. Добавляем тока базы для гарантированного насыщения независимо от разброса параметров транзистора - имеем запас (коэфф-т насыщения).
Достаточно для практического применения, и без измерения Uкб )))

[zoog]

Ток коллектора непропорционален току базы!

Я даже согласился, что пропорционален, пойдя навстречу Акегору, но напрасно..

Совсем не то, что Вам хочется мне приписать. Я говорю для "человеков разумных", а не для желающего посраться.

Пока нет насыщения - ток коллектора пропорционален току базы с коэффициентом пропорциональности Вст или примерно h21э. [del]При коэффициенте насыщения больше единицы, во столько же раз снижается коэффициент пропорциональности.[/del] Если это не резко - "разрази меня гром".

Тогда В этом определении нет никакой определённости, разрази Вас гром.

zoog, да возьмите источник питания, резистор и транзистор. Максимальный ток коллектора ограничен резистором. На грани насыщения падение напряжения на транзисторе практически минимальное. Дальше с увеличением тока базы оно практически не падает, что и наблюдаем по току коллектора - он зафиксирован внешними цепями (резистором).

Пока согласен.

Независимо от изменяющегося коэфф-та усиления.

Ку неприменим в режиме насыщения.

Добавляем тока базы для гарантированного насыщения независимо от разброса параметров транзистора - имеем запас (коэфф-т насыщения).
Достаточно для практического применения, и без измерения Uкб )))

Всё верно, что Вы хотели донести?)

[Yuri222]

Ку неприменим в режиме насыщения.

Так я к чему - увеличиваете ток базы, увеличивается ток коллектора. Монотонно. Независимо от уменьшения к-та усиления транзистора. Пока ток коллектора не упрется в ограничение его резистором - вот он порог насыщения.
Я же не говорю - вычислять бету (до этого порога насыщения, в нем или после него - когда добавили тока в базу для надежного насыщения). Всё - по току коллектора, без беты и Uбэ.

[zoog]

Монотонно

И асимптотно. До Кнас=10 навскидку. Точность - никакая.

[bordodynov]

А что вы скажете на увеличение напряжения насыщения при увеличении тока базы ( и соответственно падения при этом тока коллектора). Мне то всё ясно.

[zoog]

Базовый ток, сравнимый с выходным, создаёт доп. падение на переходе к-э. Это очевидно.

[12943]

К-Э не переход.
Путь тока, который вы предлагаете: база-коллектор-база-эмиттер.