Описание и применение
ЛФО-602 (LFO-602) — одномодовый лазерный диод с длиной волны излучения 1480 нм и мощностью непрерывного излучения 20 мВт. Спектральный диапазон 1470-1490 нм. Изготавливается на основе гетероструктуры InGaAsP/InP.
Прибор выпускается в стандартном корпусе SOT-148 (Ø9 мм) со встроенным фотодиодом обратной связи, который обеспечивает широкий диапазон рабочих температур, высокую стабильность мощности излучения и ресурс работы более 10⁵ часов. Разводка выводов: конт.1 — катод лазера, конт.2 — анод лазера и катод фотодиода, конт.3 — анод фотодиода. Окно с AR-покрытием с обеих сторон, толщина 0.25 мм.
Применяется в оптимальных источниках излучения для систем EDFA, медицинской техники, систем оптической синхронизации и метрологических приборов.
Технические характеристики
| Длина волны излучения (λ) | 1470 / 1480 / 1490 нм (мин/тип/макс) |
| Выходная оптическая мощность (P_OP) | 20 мВт (тип.) |
| Размеры области излучения (W×H) | 5.0 × 1 мкм (тип.) |
| Пороговый ток (I_TH) | 30 мА тип. / 35 мА макс. |
| Рабочий ток (I_F) | 120 мА (макс.) |
| Рабочее напряжение (U_F) | 1.5 В тип. / 2.0 В макс. |
| Расходимость излучения (Θ∥ × Θ⊥) | 10 × 45 град (макс.) |
| Ширина спектра излучения (Δλ) | 4 нм тип. / 6 нм макс. |
| Модовая структура | SM (одномодовая) |
| Фотодиод: управляющий фототок (I_PD) | 20 мкА (мин.) |
| Фотодиод: чувствительность (S) | 0.2 мкА/мВт (мин.) |
| Фотодиод: обратное напряжение (U_PD) | 5.0 ± 0.5 В (тип.) |
| Диапазон рабочих температур (T_OP) | 0…+40 °C |
| Диапазон температур хранения (T_ST) | −40…+70 °C |
| Температура пайки контактов (T_S) | 200 °C (макс.) |
| Время пайки контактов (t_S) | 3.0 сек (макс.) |
| Макс. мощность излучения (P_OP max) | 25 мВт |
| Макс. рабочий ток лазера | 145 мА |
| Фотодиод: макс. напряжение смещения (U_REV max) | 9.0 В |
| Фотодиод: макс. допустимый ток (I_PD max) | 1.0 мА |
| Внешняя квантовая эффективность | не менее 30 % |
| Температурный дрейф длины волны | не более 5 Å/°C |
| Температурный дрейф порогового тока | не более 3.0 %/°C |
| Точность позиционирования лазерного кристалла | ± 100 мкм |
| Корпус | SOT-148, Ø9 мм, окно AR-покрытие 0.25 мм |
| Ресурс работы | более 10⁵ часов |
Техническая документация
