КТ316Г — транзистор

Вилка усиления 20—100

Коэффициент передачи тока у КТ316Г нормирован границами 20—100. Нижняя точка та же, что у А и АМ, а верхняя поднята с шестидесяти до ста, отчего разброс получается пятикратным: два экземпляра из одной партии способны отличаться усилением в пять раз. Ровно такую же запись имеет только ГМ.

Граничная частота — 600 МГц, меньшее из двух значений таблицы; кроме Г его несут А, АМ и ГМ. Прибор кремниевый, структура n-p-n, мощность малая.

Нормируется постоянная времени, а не рассасывание

Строка Г устроена иначе, чем строки А, Б и В. Время рассасывания у неё не задано, стоит прочерк, зато записана постоянная времени цепи внутренней обратной связи Rб·Cк — 150 пс. Так же заполнены строки Д, ГМ и ДМ, и по этому признаку серия делится надвое: шесть букв нормированы по быстродействию в ключе, четыре — по произведению сопротивления базы на ёмкость коллектора.

Смысл второй величины в том, насколько быстро внутренняя связь коллектор—база возвращает возмущение на вход. Чем произведение меньше, тем выше частота, на которой каскад ещё сохраняет усиление и не склонен к самовозбуждению.

Ёмкости, утечка и предельные режимы

Ёмкости у всей серии одинаковы: 3 пФ по коллектору при 5 В и 2,5 пФ по эмиттеру при нулевом смещении. Обратный ток коллектора не превышает 0,5 мкА. Предельные напряжения — 10 В коллектор—база, 10 В коллектор—эмиттер с резистором в цепи базы, 4 В на эмиттерном переходе; рассеиваемая мощность 150 мВт. Ток записан парой 30/50, характерной для букв без индекса М.

Напряжение насыщения — не выше 0,4 В при отношении токов коллектора и базы десять к одному. Это условие в таблице общее и от буквы не зависит.

Что взять вместо Г

Если нужен тот же набор нормировок, но большее усиление и частота, смотрят на КТ316Д: 60—300 и 800 МГц при той же постоянной времени 150 пс. Когда важнее переключение, подходящая строка — у КТ316А, где вместо Rб·Cк заполнено рассасывание 10 нс при совпадающей нижней границе усиления.

Совпадает с Г по всем строкам, кроме токовой, только КТ316ГМ. Общую таблицу десяти исполнений держит страница серии КТ316.

Технические характеристики

Обозначение	КТ316Г
Структура	n-p-n
h_21э: B1-B2 / I_к	20-100/10
f_гр, МГц	600
C_к / U_к, пФ/В	3/5
C_э / U_эб, пФ/В	2.5/0
R_б·C_к, пс	150
tрас, нс	-
U_кэ нас / (I_к/I_б)	0.4/(10/1 )
I_кбо, мкА	0.5
U_кб max, В	10
U_кэ / R	10/3
U_эб max, В	4
I_к max / I_к нас	30/50
P_к, мВт	150

Исполнения серии КТ316

Исполнение	h_21э: B1-B2 / I_к	f_гр, МГц	I_к max / I_к нас	R_б·C_к, пс	tрас, нс
А	20-60/10	600	30/50	-	10
Б	40-120/10	800	30/50	-	10
В	40-120/10	800	30/50	-	15
Г	20-100/10	600	30/50	150	-
Д	60-300/10	800	30/50	150	-
АМ	20-60/10	600	50/	-	10
БМ	40-120/10	800	50/	-	10
ВМ	40-120/10	800	50/	-	15
ГМ	20-100/10	600	50/	150	-
ДМ	60-300/10	800	50/	150	-

Паспортные параметры КТ316Г

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	20…100
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	600
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 10 МГц, не более, пс	150
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее, В	5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	1,1
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +25 °C, не более, мкА	0,5
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В и +25 °C, не более, мкА	1
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более, пФ	3
Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более, пФ	2,5
Предельное постоянное напряжение коллектор-база, В	10
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 3 кОм, В	10
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база, В	4
Предельный постоянный ток коллектора и эмиттера, мА	30

Чем КТ316Г отличается от других исполнений

Исполнение	Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц
А	20…60	600
АМ	20…60	600
Б	40…120	800
БМ	40…120	800
ВМ	40…120	800
Г	20…100	600
Д	60…300	800
ДМ	60…300	800

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 321
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 168

Внешний вид

КТ316 — все исполнения серии