КТ316ДМ — транзистор

Максимум усиления среди М-исполнений

КТ316ДМ вместе с КТ316Д держит старшую группу таблицы по коэффициенту передачи тока — 60—300. Нижняя граница здесь втрое выше, чем у А и АМ, верхняя — в два с половиной раза выше, чем у Б, В, БМ и ВМ. Одновременно ДМ входит в старшую частотную группу с нормой 800 МГц.

Такое сочетание в серии есть только у двух букв, и различаются они одной строкой: в токовой графе у ДМ стоит 50, у Д — пара 30/50.

Нормирована постоянная времени

Графа времени рассасывания у ДМ пуста, вместо неё заполнена Rб·Cк — 150 пс. Так же устроены строки Г, Д и ГМ. Произведение сопротивления базы на коллекторную ёмкость ограничивает усиление на верхних частотах и определяет склонность каскада к самовозбуждению, поэтому нормируют его там, где прибор предполагают ставить усилителем, а не ключом.

Сама коллекторная ёмкость записана отдельной строкой: 3 пФ при 5 В, одинаково для всех десяти исполнений. Ёмкость эмиттерного перехода — 2,5 пФ при нулевом смещении.

Разброс усиления впятеро

Отношение верхней границы к нижней равно пяти — столько же, сколько у Г и ГМ, но отсчитывается оно от втрое большего уровня. На практике это значит, что ток базы, подобранный по нижней границе, у сильного экземпляра загонит транзистор в насыщение.

Рабочую точку поэтому фиксируют не током базы, а напряжением с делителя вместе с резистором в эмиттере: тогда разброс уходит в обратную связь и на режим почти не влияет. Приём общий для любой серии с широкой вилкой, но здесь без него не обойтись.

Пределы, одинаковые для всей серии

Обратный ток коллектора не превышает половины микроампера. Коллекторные переходы рассчитаны на десять вольт — и относительно базы, и относительно эмиттера с резистором в базовой цепи; эмиттерный держит четыре вольта обратного смещения. Рассеиваемая мощность 150 мВт, напряжение насыщения 0,4 В при токе базы в десятую долю коллекторного.

Если пятикратный разброс неудобен, ступенькой ниже стоит КТ316БМ: 40—120 при той же частоте, но с нормированным рассасыванием вместо Rб·Cк. Таблица целиком — на странице серии КТ316.

Технические характеристики

Обозначение	КТ316ДМ
Структура	n-p-n
h_21э: B1-B2 / I_к	60-300/10
f_гр, МГц	800
C_к / U_к, пФ/В	3/5
C_э / U_эб, пФ/В	2.5/0
R_б·C_к, пс	150
tрас, нс	-
U_кэ нас / (I_к/I_б)	0.4/(10/1 )
I_кбо, мкА	0.5
U_кб max, В	10
U_кэ / R	10/3
U_эб max, В	4
I_к max / I_к нас	50/
P_к, мВт	150

Исполнения серии КТ316

Исполнение	h_21э: B1-B2 / I_к	f_гр, МГц	I_к max / I_к нас	R_б·C_к, пс	tрас, нс
А	20-60/10	600	30/50	-	10
Б	40-120/10	800	30/50	-	10
В	40-120/10	800	30/50	-	15
Г	20-100/10	600	30/50	150	-
Д	60-300/10	800	30/50	150	-
АМ	20-60/10	600	50/	-	10
БМ	40-120/10	800	50/	-	10
ВМ	40-120/10	800	50/	-	15
ГМ	20-100/10	600	50/	150	-
ДМ	60-300/10	800	50/	150	-

Паспортные параметры КТ316ДМ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	60…300
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц	800
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 10 МГц, не более, пс	150
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее, В	5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более, В	1,1
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В и +25 °C, не более, мкА	0,5
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В и +25 °C, не более, мкА	1
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более, пФ	3
Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более, пФ	2,5
Предельное постоянное напряжение коллектор-база, В	10
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 3 кОм, В	10
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база, В	4
Предельный постоянный ток коллектора и эмиттера, мА	30
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт	150 (при температуре до +85 °C)

Чем КТ316ДМ отличается от других исполнений

Исполнение	Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0, Iэ = 10 мА и +25 °C	Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее, МГц
А	20…60	600
АМ	20…60	600
Б	40…120	800
БМ	40…120	800
ВМ	40…120	800
Г	20…100	600
Д	60…300	800
ДМ	60…300	800

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 321
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 168

Внешний вид

КТ316 — все исполнения серии