Мезаэпитаксиально-планарный ключ
2Т819А2 — кремниевый мезаэпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n, переключательный, для усилительных и переключающих устройств.
Длинное название технологии складывается из трёх решений сразу: меза — активная область вытравлена столиком, эпитаксиальная — высокоомный слой наращен на низкоомную подложку, планарная — переходы защищены окислом.
Что каждое из трёх решений даёт
Эпитаксия разводит требования по напряжению и по потерям: слой держит напряжение, подложка проводит ток. Без неё пришлось бы делать всю пластину высокоомной и мириться с нагревом.
Меза задаёт геометрию края перехода. Именно на краю поле сгущается и начинается пробой, и вытравленный столик позволяет этот край сформировать, а не получить его как побочный результат диффузии.
Планарная защита закрывает поверхность окислом. Это про долговечность: незащищённая поверхность перехода собирает заряд и загрязнения, и обратный ток растёт со временем — отказ, который проявляется через месяцы работы.
Сочетание характерно для мощных ключей на сотни вольт — там, где нужны одновременно высокое напряжение, малые потери и стабильность параметров за годы.
Описание и применение
Транзисторы 2Т819А2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т819А2 |
| Зарубежный аналог | BD743C |
Внешний вид
Все исполнения серии: КТ819
Даташит зарубежного аналога — BD743C (Comset Semiconductor)
Собственный паспорт на 2Т819А2 в нашей библиотеке отсутствует. Ниже — фирменный даташит прибора, указанного в справочнике как зарубежный аналог: назначение, функция и цоколёвка у него те же.
⚠️
Это документ на другой прибор. Предельные режимы, температурный диапазон и нормы приёмки у зарубежного коммерческого исполнения отличаются от наших — сверяйте их по таблице параметров на этой странице, а не по даташиту.
Скачать даташит BD743C (PDF, 101 КБ) ↓
