Транзисторы МП25Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП25Б
Лучшая литера серии сразу по двум графам
МП25Б выделяется среди исполнений своей серии дважды: у него наибольший коэффициент передачи тока — 30—80 при +20 °C — и вдвое более высокая предельная частота, не менее 0,5 МГц против 0,2 МГц у МП25 и МП25А. Температурные края коэффициента: 15—80 при −60 °C и 30—142 при +70 °C. Режим измерения общий для серии — Uкб = 20 В, Iэ = 2,5 мА, f = 1 кГц.
Напряжения не изменились
Ни одна из граф предельных напряжений у литеры Б не отличается от базовой: 40 В по всем трём переходам, 60 В по коллектору в облегчённом режиме до +50 °C при мощности не свыше 100 мВт, не менее 60 В пробивного на пульсирующем напряжении 50 Гц. Поэтому замена МП25 на МП25Б в готовой схеме безопасна по питанию и меняет только усиление.
Мощность, токи и тепловые ограничения
Импульсный ток коллектора 400 мА, средний ток эмиттера 80 мА, рассеиваемая мощность 200 мВт до +35 °C и 25 мВт при +70 °C. Общее тепловое сопротивление переход—среда 200, а в разрежённой атмосфере (665…6666 Па) — 300. Предел по температуре перехода — 75 °C, и при высокой температуре окружающей среды это ограничение наступает раньше токового.
Утечки
Обратные токи коллектора и эмиттера при +20 °C — по 75 мкА при напряжении 40 В, при +70 °C коллекторный доходит до 600 мкА. Ёмкость коллекторного перехода не выше 70 пФ на частоте 465 кГц, сопротивление базы не выше 150 Ом, выходная проводимость в схеме с общей базой не выше 3,5. Обратные токи одинаковы у всех трёх исполнений, поэтому по утечке выбор буквы ничего не меняет. Цифры собраны из печатных справочников по транзисторам.
Паспортные параметры МП25Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база, во всём рабочем диапазоне температур), В
40
Uкб макс при температуре до +50 °C и рассеиваемой мощности до 100 мВт, В
60
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 500 Ом), В
40
Uкэ макс при температуре до +50 °C, мощности до 100 мВт и Rэб ≤ 500 Ом, В
60
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
40
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер на пульсирующем напряжении 50 Гц, не менее, В
60
Iк макс импульсный (в режиме насыщения или в импульсном режиме), мА
400
Iэ ср макс (среднее значение тока эмиттера), мА
80
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +35 °C), мВт
200
Pк макс при +70 °C (p ≥ 6666 Па), мВт
25
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 20 В, Iэ = 2,5 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
30-80
h21э при −60 °C, -
15-80
h21э при +70 °C, -
30-142
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 20 В, Iэ = 2,5 мА), не менее, МГц
0,5
Iкбо (обратный ток коллектора; Uкб = 40 В) при +20 °C, не более, мкА
75
Iкбо при +70 °C, Uкб = 40 В, не более, мкА
600
Iэбо (обратный ток эмиттера; Uэб = 40 В) при +20 °C, не более, мкА
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 20 В, Iэ = 2,5 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
10-25
20-50
30-80
h21э при −60 °C, -
6-25
10-50
15-80
h21э при +70 °C, -
10-50
20-100
30-142
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 20 В, Iэ = 2,5 мА), не менее, МГц
0,2
0,2
0,5
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.246 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.247 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 93-95
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.94 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.95 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.96 (отрендерено и прочитано глазами)
«Справочник радиолюбителя-конструктора» (МРБ вып. 824), 1974, таблица 10-30 на с.331 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 184-186 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 185-186 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 190-192 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.42 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.43 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
