Транзисторы 2Т827Б кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Используются для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Технические характеристики
Обозначение
2Т827Б
Зарубежный аналог
MJ3521
Паспортные параметры 2Т827Б
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В
80
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А и +25 °C
750…18 000
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В и Iк = 20 А
100…3500
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В
80…100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, В
1…2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 А, Iб = 200 мА, В
1,8…3
Входное напряжение база-эмиттер при Iк = 10 А, Uкэ = 3 В, В
1,6…2,8
Время включения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс
0,3…1
Время выключения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс
3…6
Время рассасывания при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс
2…4,5
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А, f = 10 МГц, не менее
0,4
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, пФ
200…400
Ёмкость эмиттерного перехода при Uбэ = 5 В, пФ
160…350
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 1 кОм и +25 °C, не более, мА
3
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В, не более, мА
2
Предельное постоянное напряжение база-эмиттер, В
5
Предельный постоянный ток коллектора, А
20
Предельный постоянный ток базы, А
0,5
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре корпуса от −60 до +25 °C, Вт
125
Тепловое сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 12,5 А, °C/Вт
1,4
Температура перехода, не более, °C
+200
Температура окружающей среды, °C
−60…+125
Масса транзистора, не более, г
20
Чем 2Т827Б отличается от других исполнений
Параметр
А
Б
В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В
100
80
60
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В
100…140
80…100
60…80
Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 505-506
