Составной транзистор, исполнение Б1
2Т716Б1 — кремниевый мезапланарный транзистор структуры n-p-n, составной, универсальный. Соседние исполнения — 2Т716А1 и 2Т716В1.
Составной транзистор в ключевом режиме — три подводных камня
Напряжение насыщения около полутора вольт. Складывается падение на переходе первого транзистора и насыщение второго. При токе 5 А это семь с половиной ватт — вместо полутора у одиночного прибора.
Медленное выключение. Выходной транзистор насыщен, а вытянуть заряд из его базы можно только через внутренний резистор — активного запирания нет.
Умноженная утечка. Обратный ток входного транзистора попадает в базу выходного и усиливается им. С нагревом растёт лавинообразно.
Где составной прибор всё-таки на месте
Там, где ток управления критичен, а частота низка.
Реле и электромагниты — включаются редко, ток управления нужен микроамперный.
Регулирующий элемент стабилизатора — работает постоянно открытым, переключений нет вовсе.
Выходной каскад усилителя мощности — там нужен большой коэффициент передачи, а полтора вольта насыщения теряются в общем балансе.
⚠️ А в импульсном преобразователе на десятках килогерц составной прибор проигрывает и одиночному биполярному, и тем более полевому — по обеим составляющим потерь сразу.
Описание и применение
Транзисторы 2Т716Б1 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные универсальные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т716Б1 |
| Зарубежный аналог | D44E3 |
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т716
